igp01n120h2, igb01n120h2
IGD01N120H2
电源 半导体
1 rev. 2, 三月-04
highspeed 2-技术
•
设计 为:
- smps
- lamp ballast
- zvs-转换器
- optimised 为 软-切换 / resonant topologies
•
2
nd
一代 highspeed-技术
为 1200v 产品 提供:
- 丧失 减少 在 resonant 电路
- 温度 稳固的 行为
- 并行的 切换 能力
- tight 参数 分发
-
E
止
优化 为
I
C
=1A
•
完全 产品 spectrum 和 pspice 模型 :http://www.infineon.com/igbt/
类型
V
CE
I
C
E
止
T
j
包装 订货 代号
igp01n120h2 1200v 1a 0.09mj
150
°
C
p-至-220-3-1 q67040-s4593
igb01n120h2 1200v 1a 0.09mj 150°c p-至-263 (d
2
pak) q67040-s4592
igd01n120h2 1200v 1a0.09mj 150°c p-至-252 (dpak) q67040-s4591
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 v
triangular 集电级 电流
T
C
= 25
°
c,
f
= 140khz
T
C
= 100
°
c,
f
= 140khz
I
C
3.2
1.3
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
3.5
转变 止 safe 运行 范围
V
CE
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
-
3.5
一个
门-发射级 电压
V
GE
±
20
V
电源 消耗
T
C
= 25
°
C
P
tot
28 w
运行 接合面 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-40...+150
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
225 (为 smd)
°
C
G
C
E
p-至-220-3-1
(至-220ab)
p-至-263-3-2 (d²-pak)
(至-263ab)
p-至-252-3-1 (d-pak)
(至-252aa)
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