STGD3NB60SD
n-频道 3a - 600v dpak
电源 mesh
IGBT
初步的 数据
■
高 输入 阻抗
(电压 驱动)
■
非常 低 在-电压 漏出 (v
cesat
)
■
高 电流 能力
■
止 losses 包含 tail 电流
■
整体的 freewheeling 二极管
■
表面-挂载 dpak (至-252)
电源 包装 在 录音带 &放大; 卷轴
(后缀 "t4")
描述
使用 这 最新的 高 电压 技术 为基础
在 一个 专利的 strip 布局, 意法半导体
有 设计 一个 先进的 家族 的 igbts, 这
PowerMESH
igbts, 和 优秀的
perfomances. 这 后缀 "s" identifies 一个 家族
优化 至 达到 最小 在-电压 漏出
为 低 频率 产品 (<1khz).
产品
■
gas 释放 lamp
■
静态的 接转
■
发动机 控制
®
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 (v
GS
= 0) 600 V
V
GE
门-发射级 电压
±
20 V
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 t
c
= 25
o
C6A
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 t
c
= 100
o
C3A
I
CM
(
•
) 集电级 电流 (搏动) 25 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
c
= 25
o
C48W
减额 因素 0.32 w/
o
C
T
stg
存储 温度 -65 至 175
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
CES
V
ce(sat)
I
C
STGD3NB60SD 600 v < 1.5 v 3 一个
march 2000
1
3
DPAK
至-252
(后缀 "t4")
1/8
: 点此下载
