将1996
NDS9435A
单独的 p-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
____________________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDS9435A 单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-源 电压 ± 20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) ± 5.3 一个
- 搏动 ±20
P
D
最大 电源 消耗(便条 1a) 2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 50 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 25 °c/w
nds9435a rev b
这些 p-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的, 高
cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 是 特别 tailored 至 降低 在-状态
阻抗, 提供 更好的 切换 效能, 和
承受 高 活力 脉冲 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这些 设备 是 特别 suited
为 低 电压 产品 此类 作 notebook 计算机
电源 管理 和 其它 电池 powered 电路
在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和 阻抗
至 过往旅客 是 需要.
-5.3一个, -30v. r
ds(在)
= 0.05
Ω
@ v
GS
= -10v
R
ds(在)
= 0.07
Ω
@ v
GS
= -6v
R
ds(在)
= 0.09
Ω
@ v
GS
= -4.5v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在).
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely
使用 表面 挂载 包装.
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
管脚
1
© 1999 仙童 半导体 公司
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6
8
3
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7
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