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资料编号:607233
 
资料名称:SHF-0186
 
文件大小: 159.39K
   
说明
 
介绍:
DC-12 GHz, 0.5 Watt AlGaAs/GaAs HFET
 
 


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版权 2000 stanford microdevices, 公司 所有 worldwide 权利 保留.
初步的
初步的
产品 描述
phone: (800) smi-mmic http://www.stanfordmicro.com
1
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htr)daelotnoitcnuj(ecnatsiserlamreht w/cº66
stanford microdevices’ shf-0186 是 一个 高 效能 gaas
heterostructure 场效应晶体管 housed 在 一个 低-费用 表面-挂载 塑料
包装. hfet 技术 改进 损坏 电压 当
降低 肖特基 泄漏 电流 为 高等级的 电源 增加
效率 和 改进 线性.
输出 电源 在 1db 压缩 为 这 shf-0186 是 +28
dbm 当 片面的 为 类 ab 运作 在 8v 和 100ma.
这 +40 dbm 第三 顺序 intercept 制造 它 完美的 为 高 动态
范围, 高 intercept 要点 (所需的)东西. 它 是 好 suited 为
使用 在 两个都 相似物 和 数字的 无线的 交流
infrastructure 和 subscriber 设备 包含 cellular pcs,
cdpd, 无线的 数据, 和 pagers.
shf-0186
直流-12 ghz, 0.5 watt
algaas/gaas hfet
产品 特性
专利的 algaas/gaas heterostructure 场效应晶体管
技术
+28 dbm p1db 典型
+40 dbm 输出 ip3 典型
高 流 效率: 向上 至 46% 在 类 ab
17 db 增益 在 900 mhz (应用 电路)
15 db 增益 在 1900 mhz (应用 电路)
gmax 有保证的 在 12 ghz
产品
相似物 和 数字的 无线的 系统
cellular pcs, cdpd, 无线的 数据, pagers
一个-020 包含 详细地 应用 电路
增益 vs. 频率
频率 (ghz)
G
最大值
(db)
S21
Gmax
V
DS
=8v, i
DQ
=100mA
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