六月-16-2003
1
BFR380L3
2
3
1
npn 硅 rf 晶体管
初步的 数据
高 电流 能力 和 低 图示 为
宽 动态 范围 应用
低 电压 运作
完美的 为 低 阶段 噪音 oscillators 向上 至 3.5 ghz
低 噪音 图示: 1.1 db 在 1.8 ghz
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
BFR380L3 FC
1 = b 2 = e 3 = c
tslp-3-1
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
6 V
集电级-发射级 电压
V
CES
15
集电级-根基 电压
V
CBO
15
发射级-根基 电压
V
EBO
2
集电级 电流
I
C
80 毫安
根基 电流
I
B
14
总的 电源 消耗
1)
T
S
96°C
P
tot
380 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
-65 ... 150
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
参数 标识 值 单位
接合面 - 焊接 要点
2)
R
thJS
140
k/w
1
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
2
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
: 点此下载
