k6r1016v1c-c/c-l, k6r1016v1c-i/c-p
cmos sram
修订 3.3
- 1 -
october 2000
为 在&放大;t
文档 标题
64kx16 位 高-速 cmos 静态的 内存(3.3v 运行)
运作 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这 正确的 至 change 这
规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 在 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 questions,
请 联系 这 samsung branch 办公室 near your 办公室, call 或者 联系 总部.
rev. 非.
rev. 0.0
rev. 1.0
rev. 2.0
rev. 2.1
rev. 2.2
rev. 3.0
rev. 3.1
rev. 3.2
rev. 3.3
Remark
初步的
最终
最终
最终
最终
最终
最终
最终
最终
History
最初的 释放 和 初步的.
释放 至 最终 数据 薄板.
1.1. delete 初步的.
1.2. changed 直流 特性.
增加 48-fine 程度 bga.
changed 设备 部分 名字 为 fp-bga.
ex) k6r1016v1c-z -> k6r1016v1c-f
changed 设备 球 名字 为 fp-bga.
1. 增加 10ns 速 为 fp-bga 仅有的.
2. changed 备用物品 电流.
3. 增加 数据 保持 特性.
增加 10ns 速 为 所有 包装(44soj / 44tsop2 / 48fpbga)
供应 电压 改变
1. 仅有的 10ns bin : 3.15v ~ 3.6v
2. 这 rest bin : 3.0v ~ 3.6v
VIH/vIL改变
Item Previous Changed
ICC 12ns 85mA 95mA
15ns 83mA 93mA
20ns 80mA 90mA
Item Previous Changed
标识 Z F
Previous Changed
i/o1 ~ i/o8 i/o9 ~ i/o16
i/o9 ~ i/o16 i/o1 ~ i/o8
Item Previous Changed
备用物品 电流(isb1) 0.3ma 0.5ma
Item
Previous Changed
最小值 最大值 最小值 最大值
VIH 2.0 VCC+0.5 2.0 VCC+0.3
VIL -0.5 0.8 -0.3 0.8
draft 数据
8月. 5. 1998
sep. 7. 1998
sep. 17. 1998
十一月 5. 1998
dec. 10. 1998
三月. 2. 1999
apr. 24. 2000
8月. 25. 2000
oct. 2. 2000
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