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资料编号:560767
 
资料名称:PZTA06
 
文件大小: 50.38K
   
说明
 
介绍:
NPN general purpose transistor
 
 


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mpsa06 / mmbta06 / pzta06
npn 一般 目的 放大器
MMBTA06MPSA06 PZTA06
绝对 最大 ratings*
ta = 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 单位
V
CEO
Collector-Emitter电压 80 V
V
CBO
Collector-Bas e voltage 80 V
V
EBO
Emitter-be voltage 4.0 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 500 毫安
T
J
, t
stg
Operating一个dStorage j unc德州仪器TemperatureRange -55至 +150
°
C
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
注释
:
1)
这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2)
这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
ta = 25°c 除非 否则 指出
这个 设备 是 设计 为 一般 目的 放大器 产品
在 集电级 电流 至 300 毫安. sourced 从 处理 33.
C
B
E
至-92
C
B
E
sot-23
mark: 1g
B
C
C
sot-223
E
*
设备 挂载 在 fr-4 pcb 1.6" x 1.6" x 0.06."
**
总的 设备消耗
减额 在之上 25
°
C
625
5.0
350
2.8
1,000
8.0
mW
mw/
°
C
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 83.3
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 200 357 125
°
c/w


1997 仙童 半导体 公司
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