s524a40x11/40x21/
40x41/60x81/60x51
1k/2k/4k/8k/16k-位
串行 可擦可编程只读存储器 为 低 电源
数据 薄板
1-1
OVERVIEW
这 s524a40x11/40x21/40x41/60x81/60x51 串行 可擦可编程只读存储器 有 一个 1,024/2,048/4,096/8,192/16,384-位
capacity, 支承的 这 标准 i
2
C™-总线 串行 接口. 它 是 fabricated 使用 samsung’s 大多数 先进的
cmos 技术. 它 有 被 开发 为 low 电源 和 低 电压 产品 (1.8 v 至 5.5 v). 一个 的 它的
主要的 特性 是 一个 硬件-为基础 写 保护 电路 为 这 全部 记忆 范围. 硬件-为基础 写
保护 是 控制 用 这 状态 的 这 写-保护 (wp) 管脚. 使用 一个-页 写 模式, 你 能 加载 向上 至
16 字节 的 数据 在 这 可擦可编程只读存储器 在 一个 单独的 写 运作. 另一 重大的 特性 的 这
s524a40x11/40x21/40x41/60x81/60x51 是 它的 支持 为 快 模式 和 标准 模式.
特性
I
2
C-总线 接口
•
二-线 serial 接口
•
自动 文字 地址 increment
可擦可编程只读存储器
•
1k/2k/4k/8k/16k-位
(128/256/512/1,024/2,048-字节) 存储 范围
•
16-字节 页 缓存区
•
典型 3 ms 写 循环 时间 和
自动-擦掉 函数
•
硬件-为基础 写 保护 为 这 全部
可擦可编程只读存储器 (使用 这 wp 管脚)
•
可擦可编程只读存储器 程序编制 电压 发生
在 碎片
•
1,000,000 擦掉/写循环
•
100 年 数据 保持
运行 特性
•
运行 电压
—1.8 v 至 5.5 v
•
运行 电流
—最大 写 电流: < 3 毫安 在 5.5 v
—最大 读 电流: < 200
µ
一个 在 5.5 v
—最大 保卫-用 电流: < 1
µ
一个 在 5.5 v
•
运行 温度 范围
—–25°c 至 + 70°c (商业的)
—–40°c 至 + 85°c (工业的)
•
运行 时钟 发生率
—100 khz 在 标准 模式
—400 khz 在 快 模式
•
静电的 释放 (静电释放)
—5,000 v (hbm)
—500 v (mm)
包装
•
8-管脚 插件, sop, 和 tssop
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