标识 最大值 p-频道 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
DM
T
J
, t
STG
°C
标识 设备 典型值 最大值 单位
n-ch 48 62.5 °c/w
n-ch 74 110 °c/w
R
θ
JL
n-ch 35 50 °c/w
p-ch 48 62.5 °c/w
p-ch 74 110 °c/w
R
θ
JL
p-ch 35 50 °c/w
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
-20
T
一个
=70°cpower 消耗
T
一个
=25°C
P
D
稳步的-状态
接合面 和 存储 温度 范围
一个
持续的 流
电流
一个
T
一个
=25°C
I
D
T
一个
=70°C
搏动 流 电流
B
W
6
5
20
2
1.28
-4
-5
2
1.28
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
参数 最大值 n-频道
40 -40
±20
流-源 电压
±20gate-源 电压
热的 特性: n-频道 和 p-频道
-55 至 150-55 至 150
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
参数
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
一个
AO4614
complementary 增强 模式 地方 效应 晶体管
特性
n-频道 p-频道
V
DS
(v) = 40v -40v
I
D
= 6a (v
GS
=10v) -5a (v
GS
= -10v)
R
ds(在)
R
ds(在)
< 31m
Ω
(v
GS
=10v) < 45m
Ω
(v
GS
= -10v)
< 45m
Ω
(v
GS
=4.5v) < 63m
Ω
(v
GS
= -4.5v)
一般 描述
这 ao4614 使用 先进的 trench
技术 mosfets 至 提供 excellen
t
R
ds(在)
和 低 门 承担. 这
complementary mosfets 将 是 使用
在 h-桥, 反相器 和 其它
产品.
标准 产品 ao4614
是 铅-自由 (满足 rohs &放大; sony 259
规格). ao4614l 是 一个 绿色
产品 订货 选项. ao4614 和
ao4614l 是 用电气 完全同样的.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
soic-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-频道
p-频道
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
: 点此下载
