电源 晶体管
1
发行 日期: january 2003 SJD00285BED
2SA2064
硅 pnp 外延的 planar 类型
电源 供应 为 音频的 &放大; visual equipments
此类 作 tvs 和 vcrs
工业的 equipments 此类 作 直流-直流 转换器
■
特性
•
高 速 切换 (t
stg
: 存储 时间/t
f
: 下降 时间 是 短的)
•
低 集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
•
更好的 向前 电流 转移 比率 h
FE
线性
•
至-220d 建造-在: 极好的 包装 和 承受 电压 5 kv
有保证的
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 (发射级 打开) V
CBO
−
50 V
集电级-发射级 电压 (根基 打开) V
CEO
−
50 V
发射级-根基 电压 (集电级 打开) V
EBO
−
6V
集电级 电流 I
C
−
10 一个
顶峰 集电级 电流 I
CP
−
20 一个
集电级 电源 消耗 P
C
25 W
T
一个
=
25
°
C 2.0
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 电压 (根基 打开) V
CEO
I
C
=
−
10 毫安, i
B
=
0
−
50 V
集电级-根基 截止 电流 (发射级 打开)
I
CBO
V
CB
=
−
50 v, i
E
=
0
−
100
µ
一个
集电级-发射级 截止 电流 (根基 打开)
I
CEO
V
CE
=
−
50 v, i
B
=
0
−
100
µ
一个
向前 电流 转移 比率 h
FE1
V
CE
=
−
2 v, i
C
=
−
1 一个 200
h
FE2
V
CE
=
−
2 v, i
C
=
−
7 一个 100
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=
−
5 一个, i
B
=
−
250 毫安
−
0.5 V
转变-在 时间 t
在
I
C
=
−
4 一个, 阻抗 承载 0.5
µ
s
存储 时间 t
stg
I
B1
=
−
0.4 一个, i
B2
=
0.4 一个 1.0
µ
s
下降 时间 t
f
V
CC
=
−
40 v 0.15
µ
s
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
单位: mm
便条) 测量 方法 是为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
1.4
±
0.2
1.6
±
0.2
0.8
±
0.1
0.55
±
0.15
2.54
±
0.30
5.08
±
0.50
123
2.6
±
0.1
2.9
±
0.2
4.6
±
0.2
φ
3.2
±
0.1
3.0
±
0.5
9.9
±
0.3
15.0
±
0.5
13.7
±
0.2
4.2
±
0.2
焊盘 插件
1: 根基
2: 集电级
3: 发射级
至-220d-a1 包装
内部的 连接
B
C
E
: 点此下载
