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ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度
4 1 9
mcc 72
mcd 72
I
TRMS
= 2x180 一个
I
TAVM
= 2x115 一个
V
RRM
= 800-1800 v
数据 符合 至 iec 60747 和 谈及 至 一个 单独的 thyristor/二极管 除非 否则 陈述.
特性
• 国际的 标准 包装,
电子元件工业联合会 至-240 aa
• 直接 铜 绑定 al
2
O
3
-陶瓷的
根基 加设护板
• planar 钝化的 碎片
• 分开 电压 3600 v~
• ul 注册, e 72873
• 门-cathode twin 管脚 为 版本 1b
产品
• 直流 发动机 控制
• softstart 交流 发动机 控制
• 明亮的, 热温 和 温度 控制
有利因素
• 空间 和 重量 savings
• 简单的 挂载 和 二 screws
• 改进 温度 和 电源 cycling
• 减少 保护 电路
标识 情况 最大 比率
I
TRMS
, i
FRMS
T
VJ
= t
VJM
180 一个
I
TAVM
, i
FAVM
T
C
= 63°c; 180° sine 115 一个
T
C
= 85°c; 180° sine 85 一个
I
TSM
, i
FSM
T
VJ
= 45°c t = 10 ms (50 hz), sine 1700 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 1800 一个
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 1540 一个
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 1640 一个
∫∫
∫∫
∫
i
2
dt
T
VJ
= 45°c t = 10 ms (50 hz), sine 14 450 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 13 500 一个
2
s
T
VJ
= t
VJM
t = 10 ms (50 hz), sine 11 850 一个
2
s
V
R
= 0 t = 8.3 ms (60 hz), sine 11 300 一个
2
s
(di/dt)
cr
T
VJ
= t
VJM
repetitive, i
T
= 250 一个 150 一个/µs
f = 50 hz; t
P
=200 µs
V
D
=
2
/
3
V
DRM
I
G
= 0.45 一个 非 repetitive, i
T
= i
TAVM
500 一个/µs
di
G
/dt = 0.45 一个/µs
(dv/dt)
cr
T
VJ
= t
VJM
;v
DR
=
2
/
3
V
DRM
1000 v/µs
R
GK
=
∞
; 方法 1 (直线的 电压 上升)
P
GM
T
VJ
= t
VJM
;t
P
= 30 µs 10 W
I
T
= i
TAVM
;t
P
= 300 µs 5 W
P
GAV
0.5 W
V
RGM
10 V
T
VJ
-40...+125 °C
T
VJM
125 °C
T
stg
-40...+125 °C
V
ISOL
50/60 hz, rms; t = 1 最小值 3000 V~
I
ISOL
≤
1 毫安; t = 1 s 3600 V~
M
d
挂载 torque(m5) 2.5-4.0/22-35 nm/lb.在.
终端 连接 torque(m5) 2.5-4.0/22-35 nm/lb.在.
重量
典型 包含 screws 90 g
thyristor modules
thyristor/二极管 modules
6
7
4
5
3
2
1
至-240 aa
MCD
版本 8 b
MCC
版本 8 b
MCC
版本 1 b
3671 542
361 52
3152
31542
MCD
版本 1 b
V
RSM
V
RRM
类型
V
DSM
V
DRM
V V 版本 1 b 8 b 版本 1 b 8 b
900 800 mcc 72-08 io1 b / io8 b mcd 72-08 io1 b / io8 b
1300 1200 mcc 72-12 io1 b / io8 b mcd 72-12 io1 b / io8 b
1500 1400 mcc 72-14 io1 b / io8 b mcd 72-14 io1 b / io8 b
1700 1600 mcc 72-16 io1 b / io8 b mcd 72-16 io1 b / io8 b
1900 1800 mcc 72-18 io1 b / io8 b mcd 72-18 io1 b / io8 b
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