BZT55C43_集成电路资料查询网

telefunken 半导体
bzt55c...
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rev. a1: 12.12.1994
硅 外延的 planar z–diodes
特性

非常 sharp 反转 典型的

低 反转 电流 水平的

非常 高 稳固

低 噪音

有 和 tighter 容忍
产品
电压 stabilization
94 9373
绝对 最大 比率
T
j
= 25

C
参数 测试 情况 类型 标识 值 单位
电源 消耗 R
thJA

300k/w P
V
500 mW
Z–current I
Z
P
V
/v
Z
毫安
接合面 温度 T
j
175

C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+175

C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25

C
参数 测试 情况 标识 值 单位
接合面 包围的 在 pc 板 50mmx50mmx1.6mm R
thJA
500 k/w
特性
T
j
= 25

C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=200mA V
F
1.5 V

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telefunken 半导体 bzt55c... 1 rev. a1: 12.12.1994 硅外延的 planar z–diodes 特性  非常 sharp 反转典型的  低反转电流水平的  非常高稳固  低噪音  有和 tighter 容忍产品电压 stabilization 94 9373 绝对最大比率 T j = 25  C 参数测试情况类型标识值单位电源消耗 R thJA  300k/w P V 500 mW Z–current I Z P V /v Z 毫安接合面温度 T j 175  C 存储温度范围 T stg –65...+175  C 最大热的阻抗 T j = 25  C 参数测试情况标识值单位接合面包围的在 pc 板 50mmx50mmx1.6mm R thJA 500 k/w 特性 T j = 25  C 参数测试情况类型标识最小值 Typ 最大值单位向前电压 I F =200mA V F 1.5 V

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