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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
JFET VHF 放大器
N–频道 — depletion
最大 比率
比率 标识 值 单位
流–源 电压 V
DS
25 Vdc
流–门 电压 V
DG
25 Vdc
门–源 电压 V
GS
–25 Vdc
门 电流 I
G
10 mAdc
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
350
2.8
mW
mw/
°
C
接合面 温度 范围 T
J
125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
门–源 损坏 电压
(i
G
= –10
µ
模数转换器, v
DS
= 0)
V
(br)gss
–25 — Vdc
门 反转 电流
(v
GS
= –15 vdc, v
DS
= 0)
(v
GS
= –15 vdc, v
DS
= 0, t
一个
= 100
°
c)
I
GSS
—
—
–2.0
–2.0
nAdc
µ
模数转换器
门–源 截止 电压
(v
DS
= 15 vdc, i
D
= 2.0 nadc)
V
gs(止)
— –8.0 Vdc
门–源 电压
(v
DS
= 15 vdc, i
D
= 0.2 madc)
V
GS
–0.5 –7.5 Vdc
在 特性
零–门–voltage 流 电流
(1)
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0 vdc)
I
DSS
2.0 20 mAdc
SMALL–信号 特性
向前 转移 admittance
(1)
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 khz)
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 100 mhz)
y
fs
2000
1600
7500
—
m
mhos
输入 admittance
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 100 mhz)
re(y
是
) — 800
m
mhos
输出 conductance
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 100 mhz)
re(y
os
) — 200
m
mhos
输入 电容
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
iss
— 7.0 pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
rss
— 3.0 pF
1. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
v
630 ms, 职责 循环
v
10%.
顺序 这个 文档
用 mpf102/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MPF102
情况 29–04, 样式 5
to–92 (to–226aa)
1
2
3
motorola, 公司 1997
1 流
2 源
3
门
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