mrf6s9045nr1 mrf6s9045nbr1 mrf6s9045mr1 mrf6s9045mbr1
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rf 设备 数据
freescale 半导体
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 broadband 商业的 一个d 工业的 产品 和
发生率 向上 至 1000 mhz. 这 high 增益 和 broadband 效能 的
这些 设备 制造 它们 完美的 为 大-信号, 一般-源 放大器
产品 在 28 volt 根基 station 设备.
•
典型 单独的-运输车 n-cdma 效能 @ 880 mhz, v
DD
= 28 伏特,
I
DQ
= 350 毫安, p
输出
= 10 watts avg., 是-95 cdma (领航员, 同步, paging,
交通量 代号 8 通过 13) 频道 带宽 = 1.2288 mhz. par =
9.8 db @ 0.01% probability 在 ccdf.
电源 增益 — 22.7 db
流 效率 — 32%
acpr @ 750 khz 补偿 —-47 dbc @ 30 khz 带宽
gsm 边缘 应用
•
典型 gsm 边缘 效能: v
DD
= 28 伏特, i
DQ
= 350 毫安,
P
输出
= 16 watts avg., 全部 频率 带宽 (921-960 mhz)
电源 增益 — 20 db
流 效率 — 46%
谱的 regrowth @ 400 khz 补偿 =-62 dbc
谱的 regrowth @ 600 khz 补偿 =-78 dbc
evm — 1.5% rms
GSM应用
•
典型 gsm 效能: v
DD
= 28 伏特, i
DQ
= 350 毫安, p
输出
= 45 watts,
全部 频率 带宽 (921-960 mhz)
电源 增益 — 20 db
流 效率 — 68%
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 28 vdc, 880 mhz, 45 watts cw
输出 电源
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
整体的 静电释放 保护
•
n 后缀 indicates 含铅的-自由 terminations
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
至-270-2 在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 24 mm,
13 inch 卷轴.
•
至-272-2 在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 44 mm,
13 inch 卷轴.
表格 1. 最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
- 0.5, +68 Vdc
门-源 电压 V
GS
- 0.5, +12 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
175
1.0
W
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
文档 号码: mrf6s9045
rev. 1, 6/2005
freescale 半导体
技术的 数据
880 mhz, 10 w avg., 28 v
单独的 n-CDMA
lateral n-频道
broadband rf 电源 mosfets
情况 1265-08, 样式 1
至-270-2
塑料
mrf6s9045nr1(mr1)
MRF6S9045NR1
MRF6S9045NBR1
MRF6S9045MR1
MRF6S9045MBR1
情况 1337-03, 样式 1
至-272-2
塑料
mrf6s9045nbr1(mbr1)
freescale 半导体, inc., 2005. 所有 权利 保留.
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