这个 数据 薄板 states amd’s 电流 技术的 规格 关于 这 产品 描述 在此处. 这个 数据
薄板 将 是 修订 用 subsequent 版本 或者 修改 预定的 至 改变 在 技术的 规格.
Publication#
21526
rev:
B
amendment/
+2
公布 日期:
july 2, 1999
Am29F200B
2 megabit (256 k x 8-位/128 k x 16-位)
cmos 5.0 volt-仅有的, 激励 sector flash 记忆
distinctive 特性
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5.0 v
±
10% 为 读 和 写 行动
— 降低 系统 水平的 电源 (所需的)东西
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制造的 在 0.32 µm 处理 技术
— 兼容 和 0.5 µm am29f200a 设备
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高 效能
— 进入 时间 作 快 作 45 ns
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低 电源 消耗量
— 20 毫安 典型 起作用的 读 电流 (字节 模式)
— 28 毫安 典型 起作用的 读 电流 为
(文字 模式)
— 30 毫安 典型 程序/擦掉 电流
—1
µ
一个 典型 备用物品 电流
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sector 擦掉 architecture
— 一个 16 kbyte, 二 8 kbyte, 一个 32 kbyte, 和
三 64 kbyte sectors (字节 模式)
— 一个 8 kword, 二 4 kword, 一个 16 kword, 和
三 32 kword sectors (文字 模式)
— 支持 全部 碎片 擦掉
— sector 保护 特性:
一个 硬件 方法 的 locking 一个 sector 至
阻止 任何 程序 或者 擦掉 行动 在里面
那 sector
sectors 能 是 锁 通过 程序编制 设备
temporary sector unprotect 特性 准许 代号
改变 在 先前 锁 sectors
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顶 或者 bottom 激励 块 配置 有
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embedded algorithms
— embedded 擦掉 algorithm automatically
preprograms 和 erases 这 全部 碎片 或者 任何
结合体 的 designated sectors
— embedded 程序 algorithm automatically
写 和 核实 数据 在 指定 地址
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最小 1,000,000 写/擦掉 循环 有保证的
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20-年 数据 保持 在 125
°
C
— 可依靠的 运作 为 这 生命 的 这 系统
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Package 选项
— 44-管脚 所以
— 48-管脚 tsop
— 知道 好的 消逝 (kgd)
(看 发行 号码 21257)
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兼容 和 电子元件工业联合会 standards
— 引脚 和 软件 兼容 和
单独的-电源-供应 flash
— 更好的 inadvertent 写 保护
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data# polling 和 toggle 位
— 发现 程序 或者 擦掉 循环 completion
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准备好/busy# 输出 (ry/by#)
— 硬件 方法 为 发现 的 程序 或者
擦掉 循环 completion
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擦掉 suspend/擦掉 重新开始
— 支持 读 数据 从 一个 sector 不
正在 erased
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硬件 reset# 管脚
— resets 内部的 状态 机器 至 这 读
排列 数据
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