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资料编号:695767
 
资料名称:VND3NV04
 
文件大小: 418.58K
   
说明
 
介绍:
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
 
 


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®
二月 2003 1/21
vnn3nv04 / vns3nv04
/vnd3nv04 / vnd3nv04-1
“omnifet ii”:
全部地 autoprotected 电源 场效应晶体管
n
直线的 电流 限制
n
热的 shut 向下
n
短的 电路 保护
n
整体的 clamp
n
低 电流 描绘 从 输入 管脚
n
diagnostic 反馈 通过 输入
管脚
n
直接 进入 至 这 门 的 这
电源 场效应晶体管 (相似物 驱动)
n
兼容 和 标准 电源
场效应晶体管
描述
这 vnn3nv04, vns3nv04, vnd3nv04
vnd3nv04-1, 是 大而单一的 设备 设计 在
意法半导体 vipower m0-3 技术,
将 为 替换 的 标准 电源
mosfets 从 直流 向上 至 50khz 产品.
建造 在 热的 关闭, 直线的 电流 限制
和 超(电)压 clamp 保护 这 碎片 在 harsh
环境.
故障 反馈 能 是 发现 用 monitoring 这
电压 在 这 输入 管脚.
类型 R
ds(在)
I
lim
V
clamp
VNN3NV04
VNS3NV04
VND3NV04
vnd3nv04-1
120 m
3.5 一个 40 v
sot-223
所以-8
to251 (ipak)
1
2
2
3
1
3
3
2
1
to252 (dpak)
顺序 代号:
sot-223
VNN3NV04
所以-8
VNS3NV04
-252 (dpak)
VND3NV04
-251 (ipak)
vnd3nv04-1
块 图解
超(电)压
直线的
Clamp
1
2
3
电流
Limiter
控制
温度
输入
FC01000
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