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特性
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16-megabit (x16) Flash 和 2-megabit/4-megabit SRAM
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2.7v 至 3.3v 运行 电压
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低 运行 电源
– 40 毫安 运行 电流 (最大)
– 50 µA 备用物品 电流 (最大)
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工业的 温度 范围
Flash
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2.7v 至 3.3v 读/写
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进入 时间 – 70 ns, 90 ns
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Sector 擦掉 Architecture
– thirty-一个 32K 文字 (64k 字节) Sectors 和 单独的 写 Lockout
– 第八 4K 文字 (8k 字节) Sectors 和 单独的 写 Lockout
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快 文字 程序 时间 – 20 µs
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快 Sector 擦掉 时间 – 300 ms
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suspend/重新开始 特性 为 擦掉 和 程序
– 支持 读 和 程序编制 从 任何 Sector 用 Suspending 擦掉 的 一个
不同的 Sector
– 支持 读 任何 文字 用 Suspending 程序编制 的 任何 其它 文字
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低-电源 运作
–30mAActive
– 10 µA 备用物品
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数据 polling, Toggle 位, 准备好/busy 为 终止 的 程序 发现
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VPP 管脚 为 写 保护 和 Accelerated 程序/擦掉 行动
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重置 输入 为 设备 Initialization
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Sector Lockdown 支持
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顶/bottom 激励 块 配置
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128-位 保护 寄存器
SRAM
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2-megabit (128k x 16)/4-megabit (256k x 16)
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2.7v 至 3.3v V
CC
运行 电压
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70 ns 进入 时间
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全部地 静态的 运作 和 触发-状态 输出
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1.2v (最小值) 数据 保持
设备 号码 Flash 配置 SRAM 配置
at52br1662(t)
16M (1m x 16)
2M (128k x 16)
at52br1664(t)
16M (1m x 16)
4M (256k x 16)
16-megabit
Flash +
2-megabit/
4-megabit
SRAM 堆栈
记忆
at52br1662(t)
at52br1664(t)
rev. 2212c–stkd–09/02
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