1/8六月 2002
.
STS4PF20V
p-频道 20v - 0.090
Ω
- 4a 所以-8
2.7v-驱动 stripfet™ ii 电源 场效应晶体管
■
典型 r
DS
(在) = 0.090
Ω
@ 4.5 v
■
典型 r
DS
(在) = 0.100
Ω
@ 2.7 v
■
过激 低 门槛
门 驱动 (2.7 v)
■
标准 外形 为 容易
automated 表面 挂载 组装
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
stmicroelectronis 唯一的 "单独的 特性 size™"
strip-为基础 处理. 这 结果 晶体管
显示 极其 高 包装 密度 为 低 在-
阻抗, 坚毅的 avalanche 特性 和
较少 核心的 排成直线 步伐 因此 一个 remark-
能 制造 reproducibility.
产品
■
mobile phone 产品
■
直流-直流 转换器
■
电池 管理 在 nomadic
设备
类型
V
DSS
R
ds(在)
I
D
STS4PF20V 20 v
< 0.11
Ω
( @ 4.5 v )
< 0.135
Ω
( @ 2.7 v )
4 一个
所以-8
绝对 最大 比率
(
•)
脉冲波宽度限制用safe运行范围. 便条: 为 这 p-频道 场效应晶体管 真实的 极性 的 电压 和
电流 有 至 是 使反转
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
20 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
20 V
V
GS
门- 源 电压
± 12 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25°c
4A
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100°c
2.5 一个
I
DM
(
•)
流 电流 (搏动) 16 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
2.5 W
内部的 图式 图解
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