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6-一个 非-分开的 ddr/qdr 记忆
总线 末端Modules
特性
• V
TT
总线末端输出
(输出 轨道 这 系统 v
REF
)
• 6 一个 输出 电流 (8 一个 顶峰)
• 3.3-v,5-v 或者 12-v输入 电压
• DDR&放大;QDR兼容
• 开关 inhibit (为 v
TT
备用物品)
• 下面-电压Lockout
• 运行温度:–40至+85 °c
• Efficiencies向上至88 %
• 50 w/in³电源密度
• 输出在-电流保护
(非-闭锁,自动-重置)
• 安全AgencyApprovals(pending):
ul/cul60950,en60950,VDE
• 要点-的-加载Alliance(pola)
兼容
管脚 配置
管脚 函数
1 地
2V
REF
3V
在
4 inhibit *
5 非 连接
6V
TT
* denotes 负的 逻辑:
打开 = v
TT
输出 在
地面 = v
TT
输出 止
名义上的 大小 =0.87 在 x 0.5 在
(22,1 mm x 12,57 mm)
pthxx050y —series
slts221 – march 2004
标准 应用
描述
这PTHxx050Y是一个序列的准备好-
至-使用切换调整器modules从
德州器械设计specifically为
总线末端在DDR和 qdr记忆
产品.运行从也一个3.3-v,
5-v 或者 12-v 输入, 这 modules发生
一个 v
TT
输出 那 将 源 或者 下沉 向上
至 6 一个 的 电流 (8 一个 瞬时) 至 accu-
rately 追踪 它们的 v
REF
输入. v
TT
是 这
必需的总线末端供应电压,
和 v
REF
是 这 涉及 电压 为 这
记忆和chipset总线 接受者com-
parators. v
REF
是 通常地 设置 至 half 这
V
DDQ
电源 供应 电压.
两个都这PTHxx050Y序列雇用
一个actively切换同步的整流器
C
在
= 必需的 electrolytic 电容; 220 µf (3.3-/5-v 输入), 560 µf (12-v input).
Co
1
= 必需的 低-等效串联电阻 electrolyitic 电容; 470 µf (3.3-/5-v 输入), 940 µf (12-v input).
Co
2
= 陶瓷的 电容 为 最佳的 回馈 至 一个 3-一个 (±1.5-一个) 加载 瞬时.; 200 µf (3.3-/5-v input), 400 µf (12-v input).
Co
n
= distributed hf-陶瓷的 解耦 电容 为 v
TT
总线; 作 推荐 为 ddr 记忆 appications.
输出至提供状态-的-这-艺术步伐-
向下切换转换.这产品
是小在大小(0.87 在
×
0.5 在),和是
一个完美的选择在哪里空间,效能,
和高效率是desired,along和
这convenience的一个 准备好-至-使用单元.
运行特性包含一个开关
inhibit和输出在-电流保护
(源 模式 仅有的).这 开关 inhibit
特性 准许 这 v
TT
总线 至 是 转变
止 至 保存 电源 在 一个 备用物品 模式 的
运作.
包装选项包含两个都通过-
孔和表面 挂载配置.
V
在
备用物品
地
V
TT
V
REF
Co
1
低-等效串联电阻
(必需的)
C
在
(必需的)
V
TT
末端 island
1 k
1 %
1 k
1 %
V
DDQ
sstl-2
数据/
地址
总线
Co
2
陶瓷的
(optional)
Q
1
BSS138
(optional)
Co
n
hf-陶瓷的
PTHxx050Y
(顶 视图)
1
5
2
3
4
6
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