SK12–S1101 的 3©2002W在-T运算Electronics
sk12 – s110
1.0a 表面 挂载 肖特基 屏障 整流器
特性
!
肖特基 屏障 碎片
!
ideally suited 为 自动 组装 b
!
低 电源 丧失, 高 效率
!
surge 超载 比率 至 30a 顶峰 d
!
为 使用 在 低 电压 应用 一个
!
守卫 环绕 消逝 构建 f
!
塑料 情况 材料 有 ul flammability
分类 比率 94v-o c h g
E
机械的 数据
!
情况: 低 profile 模塑的 塑料
!
terminals: 焊盘 镀有, solderable
每 mil-标准-750, 方法 2026
!
极性: cathode 带宽 或者 cathode notch
!
标记: 类型 号码
!
重量: 0.093 grams (approx.)
最大 比率 和 电的 特性
@T
一个
=25°c 除非 否则 指定
典型的 标识 SK12 SK13 SK14 SK15 SK16 SK18 SK19 S110 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
20 30 40 50 60 80 90 100 V
rms 反转 电压 V
r(rms)
14 21 28 35 42 56 64 71 V
平均 调整的 输出 电流 @T
L
= 75°c I
O
1.0 一个
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
I
FSM
30 一个
向前 电压 @i
F
= 1.0a V
FM
0.55 0.70 0.85 V
顶峰 反转 电流 @t
一个
= 25°c
在 评估 直流 blocking 电压 @T
一个
= 100°c
I
RM
0.5
20
毫安
典型 热的 阻抗 接合面 至 包围的
(便条 1)
R
JA
95 k/w
运行 温度 范围 T
j
-65 至 +125 °C
存储 温度 范围 T
STG
-65 至 +150 °C
便条: 1. 挂载 在 p.c. 板 和 5.0mm
2
铜 垫子 areas
WTE
电源 半导体
smb/做-214aa
Dim 最小值 最大值
一个
3.30 3.94
B
4.06 4.70
C
1.91 2.11
D
0.152 0.305
E
5.08 5.59
F
2.13 2.44
G
0.051 0.203
H
0.76 1.27
所有 维度 在 mm
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