规格
GAL22V10
1
特性
• 高 效能 e
2
CMOS
®
技术
— 4 ns 最大 传播 延迟
— fmax = 250 mhz
— 3.5 ns 最大 从 时钟 输入 至 数据 输出
— UltraMOS
®
先进的 cmos 技术
• 起作用的 拉-ups 在 所有 管脚
• 兼容 和 标准 22v10 设备
— 全部地 函数/fuse-编排/参数 兼容
和 双极 和 uvcmos 22v10 设备
• 50% 至 75% 减少 在 电源 相比 双极
— 90ma 典型 icc 在 低 电源 设备
— 45ma 典型 icc 在 quarter 电源 设备
•E
2
cell 技术
— reconfigurable 逻辑
— reprogrammable cells
— 100% 测试/100% 产量
— 高 速 电的 erasure (<100ms)
— 20 年 数据 保持
• ten 输出 逻辑 macrocells
— 最大 flexibility 为 complex 逻辑 设计
• preload 和 电源-在 重置 的 寄存器
— 100% 函数的 testability
• 产品 包含:
— dma 控制
— 状态 机器 控制
— 高 速 graphics 处理
— 标准 逻辑 速 upgrade
• 电子的 signature 为 identification
ESCRIPTION
描述
这 gal22v10, 在 4ns 最大 传播 延迟 时间, 结合
一个 高 效能 cmos 处理 和 用电气 可擦掉的 (e
2
)
floating 门 技术 至 提供 这 最高的 效能 avail-
能 的 任何 22v10 设备 在 这 market. cmos 电路系统 准许
这 gal22v10 至 consume 更 较少 电源 当 对照的 至
双极 22v10 设备. e
2
技术 提供 高 速 (<100ms)
擦掉 时间, 供应 这 能力 至 reprogram 或者 reconfigure 这
设备 quickly 和 efficiently.
这 generic architecture 提供 最大 设计 flexibility 用
准许 这 输出 逻辑 macrocell (olmc) 至 是 配置 用
这 用户. 这 gal22v10 是 全部地 函数/fuse 编排/参数 com-
patible 和 标准 双极 和 cmos 22v10 设备.
唯一的 测试 电路系统 和 reprogrammable cells 准许 完全 交流,
直流, 和 函数的 测试 在 制造. 作 一个 结果, lat-
tice 半导体 delivers 100% 地方 programmability 和 func-
tionality 的 所有 gal 产品. 在 增加, 100 擦掉/写 循环 和
数据 保持 在 excess 的 20 年 是 指定.
GAL22V10
高 效能 e
2
cmos pld
generic 排列Logic™
可编程序的
和-排列
(132x44)
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
I
i/clk
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
重置
PRESET
8
10
12
14
16
16
14
12
10
8
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
OLMC
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至 改变 没有 注意.
lattice 半导体 corp., 5555 northeast moore ct., hillsboro, oregon 97124, 美国
8月 2000
电话. (503) 268-8000; 1-800-lattice; 传真 (503) 268-8556; http://www.latticesemi.com
GAL22V10
顶 视图
PLCC
1
12
13
24
i/clk
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
地
Vcc
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
I
6
18
GAL
22V10
228
NC
i/clk
I
I
I
I
I
I
I
I
NC
NC
NC
地
I
I
I
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
i/o/q
Vcc
i/o/q
i/o/q
i/o/q
426
25
19
18
21
23
161412
11
9
7
5
插件
22v10_06
函数的 块 图解
管脚 配置