january 2000
2000 仙童 半导体 公司
fds6912 rev e (w)
FDS6912
双 n-频道 逻辑 水平的 pwm 优化 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这些 n-频道 逻辑 水平的 mosfets 有 被
设计 specifically 至 改进 这 整体的 效率 的
直流/直流 转换器 使用 也 同步的 或者
常规的 切换 pwm 控制者.
这些 mosfets 特性 faster 切换 和 更小的
门 承担 比 其它 mosfets 和 comparable
rds(在) 规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动
(甚至 在 非常 高 发生率), 和 直流/直流 电源
供应 设计 和 高等级的 整体的 效率.
特性
•
6 一个, 30 v. R
ds(在)
= 0.028
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.042
Ω
@ v
GS
= 4.5 v.
•
优化 为 使用 在 切换 直流/直流 转换器
和 pwm 控制者
•
非常 快 切换.
•
低 门 承担
S2
所以-8
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
4
3
2
1
5
6
7
8
Q1
Q2
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
6A
– 搏动 20
电源 消耗 为 双 运作 2
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.6
(便条 1b)
1
P
D
(便条 1c)
0.9
W
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
40
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS6912 FDS6912 13’’ 12mm 2500 单位
FDS6912