©
1993
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
3SK223
特性
• 这 典型的 的 交叉-调制 是 好的.
cm = 101 db
µ
典型值 @ f = 470 mhz, g
R
= –30 db
• 低 噪音 图示: nf1 = 2.2 db 典型值 (f = 470 mhz)
nf2 = 0.9 db 典型值 (f = 55 mhz)
• 高 电源 增益: G
PS
= 20 db 典型值 (f = 470 mhz)
• 增强 类型.
• 合适的 为 使用 作 rf 放大器 在 catv tuner.
• automatically 挂载: 压印浮凸 类型 taping
• 小 包装: 4 管脚 迷你 模型
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
°
c)
流 至 源 电压 V
DSX
18 V
gate1 至 源 电压 V
G1S
±
8 (
±
10)
*1
V
gate2 至 源 电压 V
G2S
±
8 (
±
10)
*1
V
gate1 至 流 电压 V
G1D
18 V
gate2 至 流 电压 V
G2D
18 V
流 电流 I
D
25 毫安
总的 电源 消耗 P
D
200 mW
频道 温度 T
ch
125
°
C
存储 温度 T
stg
–55 至 +125
°
C
*1
R
L
≥
10 k
Ω
PRECAUTION
避免 高 静态的 电压 或者 electric 地方 所以 那 这个 设备 将 不 suffer 从 任何 损坏 预定的 至 那些 电压
或者 地方.
rf 放大器 为 catv tuner
n-频道 si 双 门 mos 地方-效应 晶体管
4 管脚 迷你 模型
文档 非. p10575ej2v0ds00 (2nd 版本)
(previous 非. td-2268)
日期 发行 8月 1995 p
打印 在 日本
1989
包装 维度
(单位: mm)
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.2
–0.3
0.4
+0.2
–0.3
3
2
4
1
(1.9)
(1.8)
2.9±0.2
0.85 0.95
0.4
+0.2
–0.3
0.4
+0.2
–0.3
0.6
+0.2
–0.3
5° 5°
5° 5°
1.1
+0.2
–0.3
0.8
0 至 0.1
0.16
+0.2
–0.3
1. source
2. drain
3. 门 2
4. 门 1
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