半导体 组件 industries, llc, 1999
12月, 1999 – rev. 2
1
发行 顺序 号码:
mcr12/d
mcr12d, mcr12m, MCR12N
preferred 设备
硅 控制 整流器
反转 blocking thyristors
设计 primarily 为 half-波 交流 控制 产品, 此类 作
发动机 控制, 加热 控制, 和 电源 供应; 或者 wherever
half–wave 硅 gate–controlled 设备 是 需要.
•
blocking 电压 至 800 伏特
•
on–state 电流 比率 的 12 amperes rms 在 80
°
C
•
高 surge 电流 能力 — 100 amperes
•
坚毅的, economical to220ab 包装
•
glass 钝化的 汇合处 为 可靠性 和 统一
•
最小 和 最大 值 的 igt, vgt 一个 ih 指定 为
使容易 的 设计
•
高 免除 至 dv/dt — 100 v/
µ
秒 最小 在 125
°
C
•
设备 标记: 标志, 设备 类型, e.g., mcr12d, 日期 代号
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
顶峰 repetitive off–state 电压
(1)
(t
J
= –40 至 125
°
c, sine 波,
50 至 60 hz,
门 打开)
MCR12D
MCR12M
MCR12N
V
drm,
V
RRM
400
600
800
伏特
在-状态 rms 电流
(180
°
传导 angles; t
C
= 80
°
c)
I
t(rms)
12 一个
顶峰 非-repetitive surge 电流
(1/2 循环, sine 波 60 hz,
T
J
= 125
°
c)
I
TSM
100 一个
电路 fusing 仔细考虑
(t = 8.33 ms)
I
2
t 41 一个
2
秒
向前 顶峰 门 电源
(脉冲波 宽度
≤
1.0
µ
s, t
C
= 80
°
c)
P
GM
5.0 Watts
向前 平均 门 电源
(t = 8.3 ms, t
C
= 80
°
c)
P
g(av)
0.5 Watts
向前 顶峰 门 电流
(脉冲波 宽度
≤
1.0
µ
s, t
C
= 80
°
c)
I
GM
2.0 一个
运行 接合面 温度 范围 T
J
–40 至
+125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–40 至
+150
°
C
(1) V
DRM
和 v
RRM
为 所有 类型 能 是 应用 在 一个 持续的 基准. 比率
应用 为 零 或者 负的 门 电压; 积极的 门 电压 将要 不 是
应用 concurrent 和 负的 潜在的 在 这 anode. blocking 电压
将要 不 是 测试 和 一个 常量 电流 源 此类 那 这 电压
比率 的 这 设备 是 超过.
SCRs
12 amperes rms
400 thru 800 伏特
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
设备 包装 Shipping
订货 信息
MCR12D TO220AB 50 单位/栏杆
MCR12M TO220AB
MCR12N TO220AB
http://onsemi.com
50 单位/栏杆
50 单位/栏杆
K
G
一个
TO–220AB
情况 221a
样式 3
1
2
3
4
管脚 分派
1
2
3
Anode
门
Cathode
4
Anode
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