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资料编号:138396
 
资料名称:APM2506NUC-TRL
 
文件大小: 183.15K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
©
anpec electronics corp.
rev. b.1 - oct., 2003
1
www.anpec.com.tw
APM2506NU
特性
z
25v/60a,
R
ds(在)
= 5m
(典型值.) @ v
GS
= 10v
R
ds(在)
= 7m
(典型值.) @ v
GS
= 4.5v
z
超级的 高 dense cell 设计
z
avalanche 评估
z
管脚 描述
产品
z
电源 管理 在 desktop 计算机 或者
直流/直流 转换器
订货 和 marking 信息
anpec reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 改进 可靠性 或者 manufacturability 没有 注意, 和 advise
客户 至 获得 这 最新的 版本 的 相关的 信息 至 verif
y 在之前 placing顺序.
n-频道 增强 模式 场效应晶体管
1
2
3
S
管脚 2
管脚 3
D
管脚 1
G
包装 代号
u : 至-252
运行 接合面 温度 范围
c : -55 至 150°c
处理 代号
tu : tube tr : 录音带 &放大; 卷轴
含铅的 自由 代号
l : 含铅的 自由 设备
blank : 原来的 设备
一个PM2506N
APM2506N
XXXXX
apm2506n u:
xxxxx – 日期 代号
含铅的 自由 代号
handing 代号
温度 范围
包装 代号
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