sn54abt541, sn74abt541b
octal 缓存区/驱动器
和 3-状态 输出
scbs093k – january 1991 – 修订 october 1998
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
状态-的-这-艺术
epic-
ΙΙ
B
bicmos 设计
significantly 减少 电源 消耗
D
获得-向上 效能 超过 500 毫安 每
电子元件工业联合会 标准 jesd-17
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce) < 1 v
在 v
CC
= 5 v, t
一个
= 25
°
C
D
高-阻抗 状态 在 电源 向上
和 电源 向下
D
高-驱动 输出 (–32-毫安 i
OH
, 64-毫安I
OL
)
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (dw), shrink 小-外形
(db), 和 薄的 shrink 小-外形 (pw)
包装, 陶瓷的 碎片 carriers (fk),
陶瓷的 flat (w) 包装, 和 塑料 (n)
和 陶瓷的 (j) dips
描述
这 sn54abt541 和 sn74abt541b octal
缓存区 和 线条 驱动器 是 完美的 为 驱动 总线
线条 或者 buffering 记忆 地址 寄存器. 这
设备 特性 输入 和 输出 在 opposite
sides 的 这 包装 至 facilitate 打印 电路
板 布局.
这 3-状态 控制 门 是 一个 二-输入 和 门
和 起作用的-低 输入 所以 那 如果 也
输出-使能 (oe1
或者 oe2) 输入 是 高, 所有 第八
输出 是 在 这 高-阻抗 状态.
当 v
CC
是 在 0 和 2.1 v, 这 设备 是 在 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下.
不管怎样, 至 确保 这 高-阻抗 状态 在之上 2.1 v, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup 电阻;
这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这 sn54abt541 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 –55
°
c 至 125
°
c.
这 sn74abt541b 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
输入
输出
OE1 OE2 一个
Y
L L L L
L LH H
HXX Z
XHX Z
版权
1998, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
epic-
ΙΙ
b 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
SN54ABT541 ...j 或者 w pACKAGE
SN74ABT541B . . . db, dw, n, 或者 pw 包装
(顶 视图)
3 2 1 20 19
910111213
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
A3
A4
A5
A6
A7
SN54ABT541 . . . fk 包装
(顶 视图)
A2
A1
OE1
Y7
Y6 OE2
A8
地
Y8
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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19
18
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15
14
13
12
11
OE1
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
地
V
CC
OE2
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
在 产品 一致的 至 mil-prf-38535, 所有 参数 是 测试
除非 否则 指出. 在 所有 其它 产品, 生产
处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有 参数.
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