1
Item 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DS
100
持续的 流 电流 I
D
±50
搏动 流 电流 I
d(puls]
±200
门-源 电压 V
GS
±30
最大 avalanche 活力 E
av *1
464
最大值 电源 消耗 ta=25
°C
P
D
1.67
Tc=25
°C
P
D
135
运行 和 存储 T
ch
+150
温度 范围 T
stg
电的 特性 (t
c
=25°c 除非 否则 指定)
Thermalcharacteristics
2sk3216-01
fuji 电源 mos-场效应晶体管
n-频道 硅 电源 mos-场效应晶体管
特性
高 速 切换
低 在-阻抗
非 secondary breadown
低 驱动 电源
avalanche-proof
产品
切换 regulators
ups (uninterruptible 电源 供应)
直流-直流 转换器
相等的 电路 图式
最大 比率 和 典型的
绝对 最大 比率
(tc=25°c 除非 否则 指定)
门(g)
源(s)
流(d)
Item 标识 测试 情况
零 门 电压 流 电流 i
DSS
V
DS
=100V
V
GS
=±30V
I
D
=25a v
GS
=10V
I
D
=25a v
DS
=25V
V
CC
=48v i
D
=50A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
最小值 典型值 最大值 单位
V
V
µA
毫安
nA
m
Ω
S
pF
一个
V
ns
µC
ns
最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
th(ch-c)
频道 至 情况
R
th(ch-一个)
频道 至 包围的
0.93
75.0
°c/w
°c/w
标识
V
(br)dss
V
gs(th)
I
GSS
R
ds(在)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
td
(在)
t
r
td
(止)
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
Item
流-源 损坏 voltaget
门 门槛 电压
门-源 泄漏 电流
流-源 在-状态 阻抗
向前 transcondutance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 时间 t
在
转变-止 时间 t
止
avalanche 能力
二极管 向前 在-电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
测试 情况
I
D
=1ma v
GS
=0V
I
D
=1ma v
DS
=V
GS
Tch=25°C
V
GS
=0v tch=125°c
V
DS
=0V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
l=100µh t
ch
=25°C
I
F
=50a v
GS
=0v t
ch
=25°C
I
F
=50a v
GS
=0V
-di/dt=100a/µs
T
ch
=25°C
V
一个
一个
V
mJ
W
W
°C
°C
*1 l=298µh, vcc=24v
100
2.5 3.0 3.5
1 100
0.1 0.5
10 100
20 25
16.0 32.0
3200 4800
760 1140
230 345
23 35
130 195
110 165
65 100
50
0.97 1.46
150
0.80
-55 至 +150
至-220ab
3.
源
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