TPIC6595
电源 逻辑 8-位 变换 寄存器
slis010a – april 1992 – 修订 october 1995
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邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
低 r
ds(在)
. . . 1.3
Ω
典型
D
avalanche 活力 ...75 mj
D
第八 电源 dmos 晶体管 输出 的
250-毫安 持续的 电流
D
1.5-一个 搏动 电流 每 输出
D
输出 clamp 电压 在 45 v
D
设备 是 cascadable
D
低 电源 消耗量
描述
这 tpic6595 是 一个 大而单一的, 高-电压, 高-
电流 电源 8-位 变换 寄存器 设计 为 使用
在 系统 那 需要 相当地 高 加载 电源.
这 设备 包含 一个 建造-在 电压 clamp 在
这 输出 为 inductive 瞬时 保护.
电源 驱动器 产品 包含 接转, sole-
noids, 和 其它 中等-电流 或者 高-电压
负载.
这个 设备 包含 一个 8-位 串行-在, 并行的-输出
变换 寄存器 那 feeds 一个 8-位 d-类型 存储
寄存器. 数据 transfers 通过 两个都 这 变换 和
存储 寄存器 在 这 rising 边缘 的 这
变换-寄存器 时钟 (srck) 和 这 寄存器 时钟
(rck) 各自. 这 存储 寄存器 transfers
数据 至 这 输出 缓存区 当 变换-
寄存器 clear (srclr
) 是 高. 当 srclr是
低, 这 输入 变换 寄存器 是 cleared. 当 输出
使能 (g
) 是 使保持 高, 所有 数据 在 这 输出
缓存区 是 使保持 低 和 所有 流 输出 是 止.
当 g是 使保持 低, 数据 从 这 存储 寄存器
是 transparent 至 这 输出 缓存区. 这 串行
输出 (ser 输出) 准许 为 cascading 的 这
数据 从 这 变换 寄存器 至 额外的 设备.
输出 是 低-一侧, 打开-流 dmos
晶体管 和 输出 比率 的 45 v 和 250-毫安
持续的 下沉 电流 能力. 当 数据 在 这 输出 缓存区 是 低, 这 dmos-晶体管 输出 是 止.
当 数据 是 高, 这 dmos-晶体管 输出 有 下沉 电流 能力.
独立的 电源 和 逻辑 水平的 地面 管脚 是 提供 至 facilitate 最大 系统 flexibility. 管脚 1, 10, 11,
和 20 是 内部 连接, 和 各自 管脚 必须 是 externally 连接 至 这 电源 系统 地面 在 顺序
至 降低 parasitic 电感. 一个 单独的-要点 连接 在 管脚 19, 逻辑 地面 (lgnd), 和 管脚 1,
10, 11, 和 20, 电源 grounds (pgnd), 必须 是 externally 制造 在 一个 manner 那 减少 串扰 在
这 逻辑 和 加载 电路.
这 tpic6595 是 典型 为 运作 在 这 运行 情况 温度 范围 的 –40
°
c 至 125
°
c.
版权
1995, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
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这个 标识 是 在 一致 和 ansi/ieee 标准 91-1984
和 iec 发行 617-12.
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PGND
V
CC
ser 在
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
PGND
PGND
LGND
ser 输出
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
PGND
dw 或者 n 包装
(顶 视图)
逻辑 标识
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SRG8
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EN3
C2
R
C1
1D
G
RCK
SRCLR
SRCK
ser 在
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DRAIN0
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DRAIN5
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ser 输出
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