整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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1
rev. D
02/10/05
IS42S16400B
ISSI
®
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任何 发行 信息 和 在之前 放置 顺序 为 产品.
特性
• 时钟 频率: 166, 143 mhz
• 全部地 同步的; 所有 信号 关联 至 一个
积极的 时钟 边缘
• 内部的 bank为 hiding 行 进入/precharge
• 单独的 3.3v 电源 供应
• lvttl 接口
• 可编程序的 burst 长度
– (1, 2, 4, 8, 全部 page)
• 可编程序的 burst sequence:
sequential/interleave
• 自 refresh 模式
• 4096 refresh 循环 每 64 ms
• 随机的 column 地址 每 时钟 循环
• 可编程序的
CAS
latency (2, 3 clocks)
• burst 读/写 行动 能力
• burst 末端 用 burst 停止 和 precharge
command
• 字节 控制 用 ldqm 和 udqm
• 工业的 温度 有效性
• 包装:
400-mil 54-管脚 tsop ii
• 含铅的-自由 包装 是 有
OVERVIEW
ISSI
's 64mb 同步的 dram is42s16400b 是 有组织的
作 1,048,576 位 x 16-位 x 4-bank 为 改进
效能.这 同步的 drams 达到 高-速
数据 转移 使用 pipeline architecture. 所有 输入 和
输出 信号 谈及 至 这 rising 边缘 的 这 时钟 输入.
1 meg 位 x 16 位 x 4 banks (64-mbit)
同步的 动态 内存
二月 2005
管脚 配置
54-管脚 tsop (类型 ii)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
GNDQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
GNDQ
DQ7
VDD
LDQM
我们
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
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23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
地
DQ15
GNDQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
GNDQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
地
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地
管脚 描述
a0-a11 地址 输入
ba0, ba1 bank 选择 地址
dq0 至 dq15 数据i/o
CLK 系统 时钟 输入
CKE 时钟 使能
CS
碎片 选择
RAS
行 地址 strobe command
CAS
column 地址 strobe command
我们
写 使能
LDQM 更小的 bye, 输入/输出 掩饰
UDQM upper bye, 输入/输出 掩饰
V
DD
电源
地 地面
V
DD
Q
电源 供应 为 dq 管脚
地
Q
地面 为 dq 管脚
NC 非 连接
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