1
) 有效的, 如果 leads 是 保持 在 包围的 temperature 在 一个 距离 的 10 mm 从 情况
gültig, wenn 消逝 anschlußdrähte 在 10 mm abstand vom gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten werden
2
) 测试 和 脉冲 – gemessen mit impulsen
3
) 这 zy 1 是 一个 二极管, 运作 在 向前. 这 cathode, indicated 用 一个 环绕, 是 至 是 连接 至 这 负的 柱子.
消逝 zy 1 ist eine 在 durchlaß betriebene einzelchip-二极管.
消逝 durch den 环绕 gekennzeichnete kathode ist mit dem minuspol zu verbinden.
214
28.02.2002
zy 1…zy 200 (2 w)
硅-电源-z-二极管 silizium-leistungs-z-dioden
(非-planar 技术) (flächendiffundierte dioden)
最大 电源 消耗 2 w
maximale verlustleistung
名义上的 z-电压 – nominale z-spannung 1…200 v
塑料 情况 做-41
Kunststoffgehäuse 做-204al
重量 approx. – gewicht ca. 0.4 g
塑料 材料 有 ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
维度 / maße 在 mm
标准 包装 带子系紧 在 ammo 包装 看 页 16
标准 lieferform gegurtet 在 ammo-包装 siehe seite 16
标准 齐纳 电压 容忍 是 graded 至 这 国际的 e 24 (~5%) 标准.
其它 电压 容忍 和 高等级的 齐纳 电压 在 要求.
消逝 toleranz der 齐纳-spannung ist 在 der 标准-ausführung gestuft nach der
internationalen reihe e 24 (~5%). andere toleranzen oder höhere arbeitsspannungen auf
anfrage.
最大 比率 和 特性 grenz- und kennwerte
电源 消耗 – verlustleistung T
一个
= 50
CP
tot
2 w
1
)
非 repetitive 顶峰 电源 消耗, t < 10 ms T
一个
= 25
CP
ZSM
60 w
einmalige impuls-verlustleistung, t < 10 ms
运行 接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
– 50...+150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
– 50...+175
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气 R
thA
< 45 k/w
1
)
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
热的 阻抗 接合面 至 含铅的 R
thL
< 15 k/w
wärmewiderstand sperrschicht – anschlußdraht
齐纳 电压 看 表格 在 next 页 – 齐纳-spannungen siehe tabelle auf der nächsten seite
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