2mbi 50p-140
2-包装 igbt
1400V
50A
igbt 单元 ( p-序列 )
nn
特性
•
正方形的 sc soa 在 10 x i
C
•
simplified 并行的 连接
•
narrow 分发 的 特性
•
高 短的 电路 承受-能力
nn
产品
•
高 电源 切换
•
一个.c. 发动机 控制
•
d.c. 发动机 控制
•
uninterruptible 电源 供应
nn
外形 绘画
nn
最大 比率 和 特性
nn
相等的 电路
•绝对 最大 比率
( t
c
=25°C)
Items Symbols 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
1400 V
门 -发射级 电压 V
GES
±
20
V
持续的 T
C
=25°C
75
持续的 T
C
=80°C
50
集电级 1ms
T
C
=25°C
150
电流 1ms
T
C
=80°C
100
-i
C
50
1ms -i
c 脉冲波
100
最大值 电源 消耗 P
C
400 W
运行 温度 T
j
+150 °C
存储 温度 T
stg
-40
∼
+125
°C
分开 电压 一个.c. 1min. V
是
2500 V
挂载 *1 3.5
terminals *2 3.5
便条:
*1:recommendable 值; 2.5
∼
3.5 nm (m5)
•电的 特性
( 在 t
j
=25°c )
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V
GE
=0v v
CE
=1400V 1.0 毫安
门-发射级 leackage 电流 I
GES
V
CE
=0v v
GE
=
±
20V
200
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
V
GE
=20v i
C
=50mA 6.0 8.0 9.0 V
T
j
= 25°c v
GE
=15v i
C
=50A 2.7 3.0
T
j
=125°c v
GE
=15v i
C
=50A 3.3
输入 电容 C
ies
V
GE
=0V 5000
输出 电容 C
oes
V
CE
=10V 750 pF
反转 转移 电容 C
res
f=1MHz 330
t
在
V
CC
=600V 1.2
t
r
I
C
=50A 0.6
t
止
V
GE
=
±
15V
1.0
t
f
R
G
=2,4
Ω
0.3
二极管 向前 在-电压 V
F
I
F
=50a v
GE
=0V 2.4 3.3 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=50A 350 ns
•热的 特性
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th(j-c)
IGBT 0.31
热的 阻抗 R
th(j-c)
二极管 0.66 °c/w
R
th(c-f)
和 热的 复合 0.05
screw torque
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和 电压
转变-在 时间
转变-止 时间
V
µ
s
I
C
I
c 脉冲波
一个
Nm
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