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1
rev. 一个
01/17/05
ISSI
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IS61C6416AL IS64C6416AL
IS62C6416AL IS65C6416AL
特性
is61c6416al 和 is64c6416al
• 高-速 进入 时间: 12 ns, 15ns
• 低 起作用的 电源: 175 mw (典型)
• 低 备用物品 电源: 1 mw (典型)
cmos 备用物品
is62c6416al 和 is65c6416al
• 高-速 进入 时间: 35 ns, 45ns
• 低 起作用的 电源: 50 mw (典型)
• 低 备用物品 电源: 100 µw (典型)
cmos 备用物品
• ttl 兼容 接口 水平
• 单独的 5v ± 10% 电源 供应
• 全部地 静态的 运作: 非 时钟 或者 refresh
必需的
• 有 在 44-管脚 soj 包装 和
44-管脚 tsop (类型 ii)
• 商业的, 工业的 和 automotive tempera-
ture 范围 有
• 含铅的-自由 有
描述
这
ISSI
is61c6416al, is62c6416al, is64c6416al 和
is65c6416al 是 高-速, 1,048,576-位 静态的 rams
有组织的 作 65,536 words 用 16 位. 它们 是 fabricated
使用
ISSI
's 高-效能 cmos 技术. 这个 高级地
可依靠的 处理 结合 和 革新的 电路 设计 tech-
niques, 产量 进入 时间 作 快 作 12 ns 和 低 电源
消耗量.
当
CE
是 高 (deselected), 这 设备 假设 一个
备用物品 模式 在 这个 这 电源 消耗 能 是 减少
向下 和 cmos 输入 水平.
容易 记忆 expansion 是 提供 用 使用 碎片 使能
和 输出 使能 输入,
CE
和
OE
. 这 起作用的 低 写
使能 (
我们
) 控制 两个都 writing 和 读 的 这 记忆.
一个 数据 字节 准许 upper 字节 (
UB
) 和 更小的 字节 (
LB
)
进入.
这 is61c6416al, is62c6416al, is64c6416al 和
is65c6416al 是 packaged 在 这 电子元件工业联合会 标准 44-管脚
400-mil soj 和 44-管脚 tsop (类型 ii).
函数的 块 图解
january 2005
a0-a15
CE
OE
我们
64k x 16
记忆 排列
解码器
column i/o
控制
电路
地
VDD
i/o
数据
电路
i/o0-i/o7
更小的 字节
i/o8-i/o15
upper 字节
UB
LB
64k x 16 高-速 cmos 静态的 内存
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