特性
TrenchFET
电源 mosfets
200
c 接合面 温度
新 低 热的 阻抗 包装
产品
Automotive
– boardnet 42-v eps 和 abs
– 发动机 驱动
高 电流
直流/直流 转换器
sum110n06-04l
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71704
s-20417—rev. b, 08-apr-02
www.vishay.com
1
n-频道 60-v (d-s) 200
c 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
(br)dss
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.0035 @ v
GS
= 10 v
60
0.005 @ v
GS
= 4.5 v
110
一个
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
至-263
SDG
顶 视图
sum110n06-04l
绝对 最大 比率 (t
C
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
60
门-源 电压 V
GS
20
V
T
C
= 25
C
110
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 125
C
I
D
110
一个
搏动 流 电流 I
DM
440
一个
avalanche 电流 I
AR
75
repetitive avalanche 活力
b
l = 0.1 mh E
AR
280 mJ
T
C
= 25
C 437.5
c
最大 电源 消耗
b
T
一个
= 25
c)
d
P
D
3.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 200
C
热的阻抗比率
参数 标识 限制 单位
接合面-至-ambient—pcb 挂载
d
R
thJA
40
接合面-至-情况 (流) R
thJC
0.4
c/w
注释
一个. 包装 限制.
b. 职责 循环
1%.
c. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
d. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).
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