january 2001
Si4425DY
单独的 p-频道, 逻辑 水平的, powertrench
TM
场效应晶体管
一般描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 否则 指出
标识参数Si4425DY单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
-11 一个
- 搏动 -50
P
D
电源 消耗为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25 °c/w
Si4425DYrev.一个
-11一个, -30 v. r
ds(在)
= 0.014
Ω
@V
GS
= -10 v,
R
ds(在)
= 0.020
Ω
@V
GS
= -4.5 v.
低 门 承担 (30nc 典型).
高 效能trench 技术为 极其 低
R
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8 sot-223SuperSOT
TM
-6
这个P-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管是生产
使用 仙童 半导体's 先进的 powertrench
处理 那 有 被 特别 tailored 至 降低
这 在-状态 阻抗 和 还 维持低 门 承担
为 更好的 切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 notebook 计算机
产品:加载 切换 和 电源 管理,
电池 charging 电路,和 直流/直流转换.
5
6
7
3
1
8
4
2
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
管脚
1
4425
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2001
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