sd57060-01
RF 电源 晶体管
这
LdmoST
家族
初步的 数据
n-频道 增强-模式 LATERAL
MOSFETs
■
极好的 热的 稳固
■
一般 源 配置
■
P
输出
= 60 W 和 11.5 dB 增益 @ 945 MHz
■
BeO 自由 包装
描述
这 sd57060-01 是 一个 一般 源 n-频道
增强-模式 lateral 地方-效应 RF 电源
晶体管 设计 为 broadband 商业的
和 工业的 产品 在 发生率 向上 至
1.0 ghz. 这 sd57060-01 是 设计 为 高
增益 和 broadband 效能 运行 在
一般 源 模式 在 28v. 它 是 完美的 为 根基
station 产品 需要 高 线性.
管脚 连接
January 2000
绝对 最大 比率
(t
情况
=25
o
c)
标识 参数 Value Unit
V
(br)dss
流 源 电压 65 V
V
GS
Gate-source 电压
±
20 V
I
D
流 电流 7 一个
P
DISS
电源 消耗 (@ Tc= 70
o
c) 118 W
T
j
最大值 O每ating 接合面 温度 200
o
C
T
STG
存储 Temperature -65 至 150
o
C
热的 数据
(t
情况
=70
o
c)
R
th(j-c)
R
th(c-s)*
接合面-case Thermal 阻抗
情况-散热器 Thermal Resistance
1.1
0.5
o
c/W
o
c/W
* 决定 使用 一个 flat 铝 或者 铜 散热器 和 热的 复合 应用 (dow Corning 340 或者 相等的).
M250
环氧的 sealed
顺序 代号 BRANDING
sd57060-01 tsd57060-01
1. 流 3.源
2. 门
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