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1996
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
2SK1959
这 2sk1959 是 一个 n-频道 vertical mos 场效应晶体管. 因为
它 能 是 驱动 用 一个 电压 作 低 作 1.5 v 和 它 是 不
需要 至 考虑 一个 驱动 电流, 这个 场效应晶体管 是 完美的 作 一个
actuator 为 低-电流 可携带的 系统 此类 作 headphone
stereos 和 video cameras.
特性
• 门 能 是 驱动 用 1.5 v
• 低 在 阻抗
R
ds(在)
= 3.2
Ω
最大值 @ v
GS
= 1.5 v, i
D
= 50 毫安
R
ds(在)
= 0.5
Ω
最大值 @ v
GS
= 4.0 v, i
D
= 1.0 一个
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
V
GS
= 0 16 V
门 至 源 电压 V
GSS
V
DS
= 0
±
7.0 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
2.0 一个
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
PW
≤
10 ms, 职责 循环
≤
50 %
±
4.0 一个
总的 电源 消耗 P
T
16 cm
2
×
0.7 mm 陶瓷的 基质 使用 2.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
文档 非. d11222ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
包装 维度 (在 mm)
1.6 ±0.2
4.5 ±0.1
0.42 ±0.06
0.8 最小值
1.5
0.47
±0.06
3.0
2.5 ±0.1
4.0 ±0.25
0.41
+0.03
–0.05
1.5 ±0.1
S
D
G
0.42 ±0.06
标记: nq
相等的 curcuit
源 (s)
内部的
二极管
门
保护
二极管
门 (g)
流 (d)
管脚 连接
s:
d:
g:
源
流
门
n-频道 mos 场效应晶体管 为 高-速 切换
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