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资料编号:509892
 
资料名称:STP3NA100
 
文件大小: 115.61K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
STP3NA100
STP3NA100FI
N - 频道 增强 模式
电源 MOS 晶体管
典型 R
ds(在)
= 4.3
±
30V 电压 比率
100% AVALANCHE 测试
REPETITIVE AVALANCHE 数据 100
o
C
INTRINSIC CAPACITANCES
承担 使减少到最低限度
减少 门槛 电压 展开
产品
电流, 切换
转变 模式 电源 供应 (smps)
直流-交流 转换器 WELDING
设备 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 发动机 驱动
内部的 图式 图解
二月 1998
至-220 至-220fi
1
2
3
1
2
3
绝对 最大 比率
标识 Parameter Unit
STP3NA100 STP3NA100FI
V
DS
流-源 Voltage (v
GS
= 0) 1000 V
V
DGR
流- 电压 (r
GS
=20k
)
1000 V
V
GS
Gate-源 Voltage
±
30 V
I
D
电流 (持续的) T
c
=25
o
c3.52.0a
I
D
电流 (持续的) T
c
=100
o
c2.01.2a
I
DM
(
) 电流 (搏动) 14 14 一个
P
tot
Total 消耗 T
c
=25
o
C11045W
减额 Fact或者 0.88 0.36 w/
o
C
V
ISO
Insulation 承受 Voltage (直流)
2000 V
T
stg
存储 Temperature -65 150
o
C
T
j
最大值. Operating Junction Temperature 150
o
C
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP3NA100
STP3NA100FI
1000 V
1000 V
<5
<5
3.5 一个
2A
1/9
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