STP3NA100
STP3NA100FI
N - 频道 增强 模式
快 电源 MOS 晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 4.3
Ω
■
±
30V 门 至 源 电压 比率
■
100% AVALANCHE 测试
■
REPETITIVE AVALANCHE 数据 在 100
o
C
■
低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
■
减少 门槛 电压 展开
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
二月 1998
至-220 至-220fi
1
2
3
1
2
3
绝对 最大 比率
标识 Parameter 值 Unit
STP3NA100 STP3NA100FI
V
DS
流-源 Voltage (v
GS
= 0) 1000 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
1000 V
V
GS
Gate-源 Voltage
±
30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=25
o
c3.52.0a
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
c
=100
o
c2.01.2a
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 14 14 一个
P
tot
Total 消耗 在 T
c
=25
o
C11045W
减额 Fact或者 0.88 0.36 w/
o
C
V
ISO
Insulation 承受 Voltage (直流)
2000 V
T
stg
存储 Temperature -65 至 150
o
C
T
j
最大值. Operating Junction Temperature 150
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP3NA100
STP3NA100FI
1000 V
1000 V
<5
Ω
<5
Ω
3.5 一个
2A
1/9