mw4ic915nbr1 mw4ic915gnbr1 mw4ic915mbr1 mw4ic915gmbr1
1
rf 设备 数据
freescale 半导体
rf ldmos wideband 整体的
电源 放大器
这 mw4ic915mb/gmb wideband 整体的 电路 是 设计 为 gsm
和 gsm 边缘 根基 station 产品. 它 使用 freescale’s newest 高
电压 (26 至 28 伏特) ldmos ic 技术 和 integrates 一个 multi
−
平台
结构.它的 wideband 在
−
碎片 设计 制造 它 usable 从 750 至 1000 mhz.
这 线性 performances 覆盖 所有 modulations 为 cellular 产品: gsm,
gsm 边缘, tdma, n
−
cdma 和 w
−
cdma.
最终 应用
•
典型 效能: v
DD
= 26 伏特, i
DQ1
= 60 毫安, i
DQ2
= 240 毫安,
P
输出
= 15 watts cw, 全部 频率 带宽 (860
−
960 mhz)
电源 增益 — 30 db
电源 增加 效率 — 44%
驱动器 应用
•
典型 gsm/gsm 边缘 performances: v
DD
= 26 伏特, i
DQ1
= 60 毫安,
I
DQ2
= 240 毫安, p
输出
= 3 watts avg., 全部 频率 带宽 (869
−
894 mhz
和 921
−
960 mhz)
电源 增益 — 31 db
电源 增加 效率 — 19%
谱的 regrowth @ 400 khz 补偿 =
−
65 dbc
谱的 regrowth @ 600 khz 补偿 =
−
83 dbc
evm — 1.5%
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @26vdc, 921 mhz,15
watts cw
输出 电源
•
典型 和 序列 相等的 大
−
信号 阻抗 参数
•
在
−
碎片 相一致 (50 ohm 输入, 直流 blocked, >3 ohm output)
•
整体的 安静的 电流 温度 补偿 和
使能/使不能运转 函数
•
在
−
碎片 电流 mirror g
m
涉及 场效应晶体管 为 自 偏置 应用
(1)
•
整体的 静电释放 保护
•
n 后缀 indicates 含铅的
−
自由 terminations
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
也 有 在 gull wing 为 表面 挂载
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 44 mm, 13 inch 卷轴.
1. 谈及 至 an1987/d,
安静的 电流 控制 为 这 rf 整体的 电路 设备 家族.
go 至 http://www.freescale.com/rf.
选择 必备资料/应用 注释
−
an1987.
MW4IC915
rev. 5, 3/2005
freescale 半导体
技术的 数据
860
−
960 mhz, 15 w, 26 v
gsm/gsm 边缘, n
−
CDMA
rf ldmos wideband
整体的 电源 放大器
情况 1329
−
09
至
−
272 wb
−
16
塑料
mw4ic915nbr1(mbr1)
MW4IC915NBR1
MW4IC915GNBR1
MW4IC915MBR1
MW4IC915GMBR1
情况 1329a
−
03
至
−
272 wb
−
16 gull
塑料
mw4ic915gnbr1(gmbr1)
图示 1. 函数的 块 图解 图示 2. 管脚 连接
(顶 视图)
便条: exposed backside 标记 是 源
终端 为 晶体管.
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freescale 半导体, inc., 2005. 所有 权利 保留.
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