74VHCT125A
四方形 总线 缓存区 (3-状态)
初步的 数据
8月 1999
管脚 连接 和 IEC 逻辑 SYMBOLS
■
高 速: t
PD
= 3.8 ns (典型值.) 在 V
CC
=5V
■
低 电源 消耗:
I
CC
=4
µ
一个 (最大值.) 在 T
一个
=25
o
C
■
兼容 和 TTL 输出:
V
IH
=2v(最小值),v
IL
= 0.8v(最大值)
■
电源 向下 保护 在 输入 &放大;
输出
■
对称的 输出 阻抗:
|I
OH
|=I
OL
= 8 毫安 (最小值)
■
保持平衡 传播 延迟:
t
PLH
≅
t
PHL
■
运行 电压 范围:
V
CC
(opr) = 4.5v 至 5.5v
■
管脚 和 函数 兼容 和
74 序列 125
■
改进 获得-向上 免除
■
低 噪音: V
OLP
= 0.8v (最大值.)
描述
这 74VHCT125A 是 一个 先进的 高-速
CMOS 四方形 总线 缓存区 fabricated 和
sub-micron 硅 门 和 翻倍-layer metal
线路 C
2
MOS 技术.
这个 设备 需要 这 3-状态 控制 输入 G
至 是 设置 高 至 放置 这 输出 在 这 高
阻抗 状态.
电源 向下 保护 是 提供 在 所有 输入
和 输出 和 0 至 7V 能 是 accepted 在
输入 和 非 关于 至 这 供应 电压. 这个
设备 能 是 使用 to 接口 5V 至 3v.
所有 输入 和 输出 是 配备 和
保护 电路 相反 静态的 释放, 给
它们 2KV 静电释放 免除 和 瞬时 excess
电压.
顺序 代号 :
74VHCT125AM 74VHCT125AT
M
(微观的 包装)
T
(tssop 包装)
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