二月 1996
NDS9956A
双n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDS9956A 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压 ± 20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) ±3.7 一个
- 搏动 ±15
P
D
电源 消耗 为 双 运作 2 W
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 1.6
(便条 1b) 1
(便条 1c) 0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 40 °c/w
NDS9956A.sam
1
5
6
7
8
4
3
2
这些 n-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的, 高
cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 是 特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗,
提供 更好的 切换 效能, 和 承受 高
活力 脉冲 在 这 avalanche 和 commutation 模式.
这些 设备 是 特别 suited 为 低 电压
产品 此类 作 直流/直流 转换 和 直流 发动机
控制 在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和
阻抗 至 过往旅客 是 需要.
3.7一个, 30v. r
ds(在)
= 0.08
Ω
@ v
GS
= 10v
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely 使用
表面 挂载 包装.
双 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装.
© 1997 仙童 半导体 公司
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