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资料编号:28174
 
资料名称:1MBH50D-060
 
文件大小: 277.77K
   
说明
 
介绍:
Fuji Discrete Package IGBT
 
 


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fuji 分离的 包装 igbt
nn
特性
正方形的 rbsoa
低 饱和 电压
较少 总的 电源 消耗
使减少到最低限度 内部的 偏离 电感
nn
产品
高 电源 切换
一个.c. 发动机 控制
uninterruptible 电源 供应
nn
外形 绘画
nn
最大 比率 和 特性
绝对 最大 比率
( t
c
=25°C)
Items Symbols 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
600 V
门 -发射级 电压 V
GES
±
20
V
直流 T
c
= 25°c I
c 25
82
集电级 电流 直流 T
c
=100°C I
c 100
50 一个
1ms T
c
= 25°c I
c 脉冲波
328
igbt 最大值 电源 消耗 P
C
310 W
fwd 最大值 电源 消耗 P
C
140 W
运行 温度 T
j
+150 °C
存储 温度 T
stg
-40
+150
°C
挂载 screw torque 70 Nm
电的 特性
( 在 t
j
=25°c )
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V
GE
=0v v
CE
=600V 1.0 毫安
门-发射级 leackage 电流 I
GES
V
CE
=0v v
GE
=
±
20V
20
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
V
GE
=20v i
C
=50mA 5.5 8.5
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
V
GE
=15v i
C
=50A 3.0
输入 电容 C
ies
V
GE
=0V 3000
输出 电容 C
oes
V
CE
=10V 650 pF
反转 转移 电容 C
res
f=1MHz 150
t
V
CC
=300V 1.2
t
r
I
C
=50A 0.6
t
V
GE
=
±
15V
1.0
切换 时间 t
f
R
G
=62
0.35
t
V
CC
=300V 0.16
t
r
I
C
=50A 0.11
t
V
GE
=+15V 0.30
t
f
R
G
=6
0.35
二极管 向前 在-电压 V
F
I
F
=50a v
GE
=0V 3.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=50A,
V
GE
=-10v, di/dt=100a/
µ
s
300 ns
热的 特性
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th(j-c)
IGBT 0.40
R
th(j-c)
二极管 0.89
nn
相等的 电路
转变-在 时间
转变-在 时间
转变-止 时间
转变-止 时间
热的 阻抗
V
µ
s
µ
s
°c/w
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