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资料编号:14350
 
资料名称:AM27C040-150DIB
 
文件大小: 175.71K
   
说明
 
介绍:
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
 
 


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最终
Publication#
14971
rev:
G
amendment/
0
公布 日期:
将 1998
Am27C040
4 megabit (512 k x 8-位) cmos 非易失存储器
distinctive 特性
快 进入 时间
有 在 速 选项 作 快 作 90 ns
低 电源 消耗量
<10 µa 典型 cmos 备用物品 电流
电子元件工业联合会-批准 引脚
plug-在 upgrade 为 1 mbit 和 2 mbit eproms
容易 upgrade 从 28-管脚 电子元件工业联合会 eproms
单独的 +5 v 电源 供应
±
10% 电源 供应 容忍 标准
100% flashrite™ 程序编制
典型 程序编制 时间 的 1 分钟
获得-向上 保护 至 100 毫安 从 –1 v 至
V
CC
高 噪音 免除
紧凑的 32-管脚 插件, pdip, plcc 包装
一般 描述
这 am27c040 是 一个 4 mbit ultraviolet 可擦掉的 pro-
grammable 读-仅有的 memory. 它 是 有组织的 作 512k
字节, 运作 从 一个 单独的 +5 v 供应, 有 一个 静态的
备用物品 模式, 和 特性 快 单独的 地址 loca-
tion 程序编制. 这 设备 是 有 在 windowed
陶瓷的 插件 包装 和 塑料 一个-时间 程序-
mable (otp) 包装.
数据 能 是 典型地 accessed 在 较少 比 90 ns, al-
lowing 高-效能 微处理器 至 运作
没有 任何 wait states. 这 设备 提供 独立的
输出 使能 (oe#) 和 碎片 使能 (ce#) 控制,
因此 eliminating 总线 contention 在 一个 多样的 总线 微观的-
处理器 系统.
amd’s cmos 处理 技术 提供 高
速, 低 电源, 和 高 噪音 免除. 典型
电源 消耗量 是 仅有的 100 mw 在 起作用的 模式,
和 50 µw 在 备用物品 模式.
所有 信号 是 ttl 水平, 包含 程序编制 sig-
nals. 位 locations 将 是 编写程序 singly, 在
blocks, 或者 在 随机的. 这 设备 支持 amd’s
flashrite 程序编制 algorithm (100 µs 脉冲) re-
sulting 在 典型 程序编制 时间 的 1 分钟.
块 图解
14971g-1
A0–A18
地址
输入
ce#/pgm#
OE#
V
CC
V
SS
V
PP
数据 输出
DQ0–DQ7
输出
缓存区
Y
Gating
4,194,304-位
cell 矩阵变换
X
解码器
Y
解码器
输出 使能
碎片 使能
prog 逻辑
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