sn54lvt125, sn74lvt125
3.3-v abt quadruple 总线 缓存区
和 3-状态 输出
scbs133d – 将 1992 – 修订 july 1995
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
状态-的-这-艺术 先进的 bicmos
技术 (abt) 设计 为 3.3-v
运作 和 低-静态的 电源
消耗
D
支持 mixed-模式 信号 运作 (5-v
输入 和 输出 电压 和 3.3-v v
CC
)
D
支持 无秩序的 电池 运作
向下 至 2.7 v
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
< 0.8 v 在 v
CC
= 3.3 v, t
一个
= 25
°
C
D
静电释放 保护 超过 2000 v 每
mil-标准-883c, 方法 3015; 超过
200 v 使用 机器 模型
(c = 200 pf, r = 0)
D
获得-向上 效能 超过 500 毫安
每 电子元件工业联合会 标准 jesd-17
D
总线-支撑 数据 输入 eliminate 这 需要
为 外部 pullup 电阻器
D
支持 live 嵌入
D
包装 选项 包含 塑料
小-外形 (d), shrink 小-外形
(db), 和 薄的 shrink 小-外形 (pw)
包装, 陶瓷的 碎片 carriers (fk), 和
陶瓷的 (j) dips
描述
这些 总线 缓存区 是 设计 specifically 为 低-电压 (3.3-v) v
CC
运作, 但是 和 这 能力 至
提供 一个 ttl 接口 至 一个 5-v 系统 环境.
这
′
lvt125 特性 独立 线条 驱动器 和 3-状态 输出. 各自 输出 是 在 这 高-阻抗 状态
当 这 有关联的 输出-使能 (oe) 输入 是 高.
起作用的 总线-支撑 电路系统 是 提供 至 支撑 unused 或者 floating 数据 输入 在 一个 有效的 逻辑 水平的.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这 sn74lvt125 是 有 在 德州仪器’s shrink 小-外形 包装 (db), 这个 提供 这 一样 i/o 管脚 计数
和 符合实际 的 标准 小-外形 包装 在 较少 比 half 这 打印-电路-板 范围.
这 sn54lvt125 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 –55
°
c 至 125
°
c. 这
sn74lvt125 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
版权
1995, 德州 器械 组成公司的
除非 否则 指出 这个 文档 包含 生产
数据 信息 电流 作 的 发行 日期. 产品 遵从 至
规格 每 这 条款 的 德州 器械 标准 保用单.
生产 处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有
参数.
SN54LVT125 ...j pACKAGE
SN74LVT125 . . . d, db, 或者 pw 包装
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地
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地
NC
SN54LVT125 . . . fk 包装
(顶 视图)
CC
nc – 非 内部的 连接
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
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