168
(标准 类型)
测试
(标准 类型)
1
2
3
6
5
4
he (高-函数 economy)
类型
1- 频道 (表格 b) 类型
mminch
8.8
±
0.05
.346
±
.002
6.4
±
0.05
.252
±
.002
3.9
±
0.2
.154
±
.008
8.8
±
0.05
.346
±
.002
6.4
±
0.05
.252
±
.002
3.6
±
0.2
.142
±
.008
特性
1. 表格 b (正常情况下-关闭) 类型
有 被 认识到 感谢 至 这 建造-在
场效应晶体管 processed 用 我们的 专卖的
方法, dsd (翻倍-diffused 和 se-
lective doping) 方法.
,
,
,
源 electrode
N
–
N
+
N
+
N
+
P
+
N
+
N
+
P
+
门 electrode
passivation membrane
交叉 部分 的 这 正常情况下-关闭 类型 的
电源 mos
Intermediate
insulating
membrane
门
oxidation
membrane
流
electrode
2. 控制 低-水平的 相似物 信号
photomos 接转 特性 极其 低
关闭-电路 补偿 电压 至 使能
控制 的 低-水平的 相似物 信号 没有
扭曲量.
3. 高 敏锐的, 低 在 阻抗
能 控制 一个 最大 0.15 一个 加载 cur-
rent 和 一个 5 毫安 输入 电流. 低 在 re-
sistance 的 16
Ω
(aqv454). 稳固的
运作 因为 那里 是 非 metallic
联系 部分.
4. 控制 各种各样的 类型 的 加载 此类
作 接转, 发动机, lamps 和 sole-
noids.
5. 排除 这 需要 为 一个 电源 sup-
ply 至 驱动 这 电源 场效应晶体管
一个 电源 供应 使用 至 驱动 这 电源
场效应晶体管 是 unnecessary 因为 的 这
建造-在 光电子的 设备. 这个 结果
在 容易 电路 设计 和 小 pc 板
范围.
6. 低 热的 electromotive 强迫
(approx. 1
µ
v) (基本 绝缘)
7. reinforced 绝缘 5,000 v 类型
也 有.
更多 比 0.4 mm.016 inch内部的 insu-
lation 距离 在 输入 和 输出-
puts. 遵从 至 iec950 (reinforced
绝缘).
典型 产品
• 安全 设备
• 高-速 inspection machines
• 测量 器械
• 电话 设备
• 传感器
类型
* 表明 这 顶峰 交流 和 直流 值.
便条: 为 空间 reasons, 这 包装 类型 指示信号 "x"和 "z" 是 omitted 从 这 seal.
类型 i/o 分开
输出 rating* 部分 非.
包装 quantity
加载
电压
加载
电流
通过 孔
终端
表面-挂载 终端
tube 包装 样式
录音带 和 卷轴 包装 样式
Tube 录音带 和 卷轴
picked 从 这
1/2/3-管脚 一侧
picked 从 这
4/5/6-管脚 一侧
交流/直流
1,500 v 交流
250 v 200 毫安 AQV453 AQV453A AQV453AX AQV453AZ
1 tube 包含
50 pcs.
1 批 包含
500 pcs.
1,000 pcs.
400 v 150 毫安
AQV454 AQV454A AQV454AX AQV454AZ
Reinforced
5,000 v 交流
AQV454H AQV454HA AQV454HAX AQV454HAZ
PhotoMOS
接转
: 点此下载
