STT4NF30L
N - 频道 30V - 0.055
Ω
- 4A - tsop-6
STripFET
场效应晶体管
初步的 数据
■
典型 R
ds(在)
= 0.055
Ω
■
标准 外形 为 容易
AUTOMATED 表面 挂载 组装
■
低 门槛 驱动
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
意法半导体 唯一的 ”Single 特性
大小
” strip-为基础 处理.这 结果 transi-
贮存 显示 极其 高 包装 密度 为 低
在-阻抗, 坚毅的 avalanche 特性
和 较少 核心的 排成直线 步伐 因此 一个 re-
markable 制造 reproducibility.
产品
■
直流 发动机 驱动
■
直流-直流 转换器
■
电池 管理 在 NOMADIC
设备
■
电源 管理 在
可携带的/desktop PCs
内部的 图式 图解
绝对 最大 比率
Symbol Parameter Value Un它
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0) 30 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)30v
V
GS
Gate-source Voltage
±
20 V
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=25
o
C4A
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=100
o
c2.5a
I
DM
(
•
) 流 Current (搏动) 16 一个
P
tot
Total Dissipation 在 T
c
=25
o
C2W
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STT4NF30L 30 V < 0.065
Ω
4A
十一月 1998
tsop-6
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