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资料编号:382247
 
资料名称:HM882
 
文件大小: 31.41K
   
说明
 
介绍:
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he9514
issued 日期 : 1997.06.05
修订 日期 : 2003.01.10
页 非. : 1/4
HM882 hsmc 产品 规格
HM882
npn 外延的 planar 晶体管
描述
这 hm882 是 suited 为 这 输出 平台 的 0.75w 音频的, 电压
调整器, 和 接转 驱动器.
绝对 最大 比率
存储 temperature............................................................................................-55 ~ +150
°
C
接合面 温度 .................................................................................... +150
°
c 最大
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗 (ta=25
°
c) ............................................................................0.6 w
(note1)
总的 电源 消耗 (ta=25
°
c) ...............................................................................2 w
(note2)
总的 电源 消耗 (tc=25
°
c)............................................................................1.3 w
(note1)
总的 电源 消耗 (tc=25
°
c) ............................................................................3.4 w
(note2)
最大 电压 和 电流 (ta=25
°
c)
vcbo 集电级 至 根基 电压 .........................................................................................70 v
vceo 集电级 至 发射级 电压......................................................................................30 v
vebo 发射级 至 根基 电压 ..............................................................................................5 v
ic 集电级 电流...............................................................................................................3 一个
热的 典型的
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
(note1)
R
θ
ja
208
o
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
(note2)
R
θ
ja
62.5
o
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
(note1)
R
θ
jc
86
o
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况
(note2)
R
θ
jc
36.8
o
c/w
note1: when 测试 在 自由 空气 情况, 没有 热温 sinking.
note2: when 挂载 在 一个 40x40x1mm 陶瓷的 板.
sot-89
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