文档 非. e0148h20 (ver. 2.0)
日期 发行 april 2002 (k) 日本
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elpida 记忆, 公司 2001-2002
hitachi, 有限公司. 2001
elpida 记忆, 公司 是 一个 joint venture dram 公司 的 nec 公司 和 hitachi, 有限公司.
初步的 数据 薄板
256mb ddr sdram s.o.dimm
hb54a2568kn-a75b/b75b/10b
(32m words
×
××
×
64 位, 2 banks)
描述
这 hb54a2568kn 是 翻倍 数据 比率 (ddr)
sdram 单元, 挂载 256m 位 ddr sdram
(hm5425161btt) sealed 在 tsop 包装, 和 1
片 的 串行 可擦可编程只读存储器 (2k 位 可擦可编程只读存储器) 为
存在 发现 (pd). 这 hb54a2568kn 是
有组织的 作 16m
×
64
×
2 bank 挂载 8 片 的
256m 位 ddr sdram. 读 和 写 行动
是 执行 在 这 交叉 点 的 这 ck 和 这
/ck. 这个 高-速 数据 转移 是 认识到 用 这 2
位 prefetch-pipelined architecture. 数据 strobe (dqs)
两个都 为 读 和 写 是 有 为 高 速 和
可依靠的 数据 总线 设计. 用 设置 扩展 模式
寄存器, 这 在-碎片 延迟 锁 循环 (dll) 能 是
设置 使能 或者 使不能运转. 一个 外形 的 这 产品 是
200-管脚 插座 类型 包装 (双 含铅的 输出).
因此, 它 制造 高 密度 挂载 可能
没有 表面 挂载 技术. 它 提供 一般
数据 输入 和 输出. 解耦 电容 是
挂载 beside 各自 tsop 在 这 单元 板.
特性
•
200-管脚 插座 类型 包装 (双 含铅的 输出)
外形: 67.6mm (长度)
×
31.75mm (height)
×
3.80mm (厚度)
含铅的 程度: 0.6mm
•
2.5v 电源 供应 (vcc)
•
sstl-2 接口 为 所有 输入 和 输出
•
时钟 频率: 133 mhz (最大值) (-a75b/b75b)
: 100 mhz (最大值) (-10b)
•
数据 输入, 输出 和 dm 是 同步 和
DQS
•
4 banks 能 运作 同时发生地 和
independently (组件)
•
burst 读/写 运作
•
可编程序的 burst 长度: 2, 4, 8
burst 读 停止 能力
•
可编程序的 burst sequence
Sequential
Interleave
•
开始 寻址 能力
甚至 和 odd
•
可编程序的 /cas latency (cl): 2, 2.5
•
8192 refresh 循环: 7.8
µ
s (8192row /64ms)
•
2 变化 的 refresh
自动 refresh
自 refresh
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