leshan 无线电 公司, 有限公司.
m10–1/6
1
3
2
一般 目的 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 Value 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
– 32 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
– 32 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
– 5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
– 100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1)
P
D
225 mW
T
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
1.8 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
556 °c/w
总的 设备 消耗
P
D
300 mW
alumina 基质, (2) t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
2.4 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
417 °c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bcw61blt1 = bb, bcw61clt1 = bc, bcw61dlt1 = bd
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= –2.0 madc, i
B
= 0 )
V
(br)ceo
– 32 — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= –1.0
µ
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
– 5.0 — Vdc
集电级 截止 电流 I
CES
(v
CE
= –32 vdc, ) — –20 nAdc
(v
CE
= –32 vdc, t
一个
= 150°c) — –20
µ
模数转换器
1. fr– 5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
BCW61BLT1
BCW61CLT1
BCW61DLT1
2
发射级
3
集电级
1
根基
情况 318–08, 样式 6
sot–23 (to–236ab)