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半导体 组 10 / 19981
SPD02N60
SPU02N60
初步的 数据
SIPMOS

电源 晶体管
•
n-频道
•
增强 模式
•
avalanche 评估
管脚 2 管脚 3pin 1
G D S
@ v
GS
类型
V
DS
R
ds(在)
订货 codepackage
I
D
V
GS
= 10 vspd02n60
SPU02N60
600 v 2 一个
5.5
Ω
p-to252
p-to251
q67040-s4133
q67040-s4127-a2
持续的 流 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 100 °c
I
D
一个
2
1.3
I
Dpulse
8pulsed 流 电流
T
C
= 25 °c
mj135avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 2 一个,
V
DD
= 50 v,
R
GS
= 25
Ω
,
T
j
= 25 °c
E
作
门 源 电压
±
20
V
V
GS
P
tot
W
电源 消耗
T
C
= 25 °c
55
°C
运行 温度
T
j
-55 ... +150
存储 温度
-55 ... +150
T
stg
55/150/56iec climatic 类别; din iec 68-1
最大 比率,
在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
标识
参数 值 单位

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半导体组 10 / 19981 SPD02N60 SPU02N60 初步的数据 SIPMOS  电源晶体管 • n-频道 • 增强模式 • avalanche 评估管脚 2 管脚 3pin 1 G D S @ v GS 类型 V DS R ds(在) 订货 codepackage I D V GS = 10 vspd02n60 SPU02N60 600 v 2 一个 5.5 Ω p-to252 p-to251 q67040-s4133 q67040-s4127-a2 持续的流电流 T C = 25 °c T C = 100 °c I D 一个 2 1.3 I Dpulse 8pulsed 流电流 T C = 25 °c mj135avalanche 活力, 单独的脉冲波 I D = 2 一个, V DD = 50 v, R GS = 25 Ω , T j = 25 °c E 作门源电压 ± 20 V V GS P tot W 电源消耗 T C = 25 °c 55 °C 运行温度 T j -55 ... +150 存储温度 -55 ... +150 T stg 55/150/56iec climatic 类别; din iec 68-1 最大比率, 在 T j = 25 °c, 除非否则指定标识参数值单位

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