Si4800
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
rev. 01 — 13 july 2001 产品 数据
c
c
M3D315
1. 描述
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管 在 一个 塑料 包装 使用
TrenchMOS™
1
技术.
产品 有效性:
si4800 在 sot96-1 (so8).
2. 特性
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低 在-状态 阻抗
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快 切换
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trenchmos™ 技术.
3. 产品
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直流 至 直流 convertors
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直流 发动机 控制
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lithium-ion 电池 产品
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notebook pc
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可携带的 设备 产品.
4. 固定 信息
1. trenchmos 是 一个 商标 的 royal 飞利浦 electronics.
表格 1: 固定 - sot96-1, simplified 外形 和 标识
管脚 描述 simplified 外形 标识
1,2,3 源 (s)
sot96-1 (so8)
4 门 (g)
5,6,7,8 流 (d)
4
5
1
8
顶 视图
MBK187
s
d
g
MBB076